3.0pF, 30A离散瞬态抑制二极管阵列采用紧凑型SOD232封装 Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布新推符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管阵列系列，该系列产品经过优化，可保护敏感的电信端口免因静电放电 (ESD) 和雷击感应浪涌而受损。 SP4208系列瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）集成了低电容控向二极管和一个（单向保护）或两个（双向保护）雪崩击穿二极管。 该系列产品可安全吸收高达30A浪涌电流和至少±30kV ESD，而不会出现性能减退。 其具有低负载电容(3.0pF)和高浪涌防护能力，是保护以太网等电信端口和其他高速数据接口的理想选择。 SP4208系列瞬态抑制二极管阵列 SP4208系列瞬态抑制二极管阵列的典型应用包括：·10/100/1000以太网·T1/E1/T3/E3.·USB 1.1/2.0，电源端口·仪表·医疗设备·计算机和外围设备 “SP4208系列瞬态抑制二极管阵列将8V断态电压与低动态电阻相结合，支持在较高电压条件下运行的G.Fast。”Littelfuse瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）业务开发经理Tim Micun表示， “‘直通型’设计可最大限度地减少信号失真和电压过冲，并简化印刷电路设计。” SP4208系列瞬态抑制二极管阵列具有下列突出优势：·8V标称断态电压支持更高的工作电压，这对高速接口而言是一个越来越重要的考虑因素。·低寄生电容（标称值为3.0pF）允许适量的带宽来启用高速以太网接口。·极低的动态电阻（标称值为0.4?）有助于确保在ESD事件中作出最快的响应。 供货情况SP4208系列瞬态抑制二极管阵列提供SOD323卷带封装，起订量3,000只。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。  为满足业界对于提高功率密度与提高效率的广泛需求，Diodes公司推出ZXGD3113同步整流控制器。搭配 MOSFET 时，其配对组合可在基于反驰或谐振转换器拓扑的电源供应器中，取代高损耗的萧特基整流器。 ZXGD3113可控制外部 MOSFET，例如 100V 16m? N 通道 DMT10H015LPS，配置为理想的二极管运作。以 ZXGD3113+MOSFET 取代萧特基整流器，可大幅提升以工业、消费性产品及电信市场为目标的 AC-DC 电源供应器的效率。 相较于高损耗的萧特基整流器，随着效率提升，本产品无需散热器以节省空间。此外，外型尺寸更小的 SOT26 可降低工业标准 SO8 的解决方案尺寸，并以高达 250kHz 的工作频率运作，PSU 设计人员可使用更小的变压器，进一步节省空间与 BOM 成本。 ZXGD3113 为低 RDS(on) MOSFET 提供控制，藉由使用符合比例的闸极驱动器达到更高的效率，使其能在连续导通模式 (CCM) 中快速关断同步 MOSFET，而且也能在不连续导通模式 (DCM) 与临界导通模式 (CrCM) 中运作。其他功能还包括低于 10mV 的低阈值电压，可分别控制低 RDS(ON) MOSFET 及 1.5/3A 峰值源极/汲极电流，以支持同步 MOSFET 的高效率驱动。3.5V 至 40V 的广大作业电压范围代表此装置可由最低 3.5V 的 PSU 输出直接驱动，同时提供足够的余裕以处理过电压尖峰或以更高的 Vcc 电轨 (例如 24V) 运作。