韩国联合通讯社周三报导称，三星电子已决定在韩国平泽生产工厂投资兴建第二条存储器芯片生产线。

三星去年曾表示，计划在2021年前投资平泽厂276.3亿美元以扩充产能。

三星在路透请求对韩联社报导置评时以电子邮件回覆表示“我们目前正在评估平泽半导体制造场地的第二阶段投资计划...”

“投资旨在为未来市场需求作好准备。在将市况纳入考量后，将作出关于生产细节的决定，”电子邮件中称。

分析师称，如果第二条半导体生产线按行业里常见的时程完工，三星料在2020年左右以新生产线量产芯片，而这将使存储器芯片价格走软。

“目前存储器芯片价格太高，供应紧张。不仅是三星，其他芯片生产商也在增加投资，我认为这有利于压低价格，”HMC Investment and Securities分析师Greh Noh称。

2017年12月29日，韩媒BusinessKorea 28日报导，业界人士表示，三星电子平泽厂1号线的二楼工程将完工，预定2018投产。估计三星华城厂和平泽厂二楼量产后，DRAM产能将从当前的每月37万片晶圆、2019年增至每月60万片晶圆。

现在三星评估平泽半导体制造场地的第二阶段投资计划，明显正在加速扩产的进程。

台湾工研院产业经济与趋势研究中心（IEK）认为，今年DRAM的价格和出货量持续上涨。在虚拟货币挖矿厂商加入DRAM扫货，服务器需求强劲走势下，预估今年全球DRAM产值约再增长23%，续创新高，平均单价有望再涨32%。

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根据电子之家获取到的最新消息，虽然近期DRAM及NAND Flash价格走势因淡季效应而略显弱势，但是并不影响记内存厂商的获利表现。美国存储厂商美光(Micron)昨日宣布调升2018年会计年度第二季(去年12月1日至今年3月1日)财测，季度营收将由原本预估的68.0～72.0亿美元上修至72.0～73.5亿美元，平均调升幅度约4%。
业界表示，美光调升季度财测预估，代表存储市场需求不如外界想像疲弱，而且以存储器价格变化来看，DRAM价格第一季持续调涨3～5%，NAND Flash价格跌幅也较预期减少，看好南亚科、华邦电、旺宏等存储厂第一季营运表现，美光封测代工厂力成、华东也将受惠。

由于DRAM及NAND Flash市况优于预期，美光宣布调升2018年会计年度第二季财测，季度营收由原本预估的68.0～72.0亿美元上修至72.0～73.5亿美元，中间值平均调升幅度约4%。每股税后净利则由原本预估的2.51～2.65美元，调升至2.70～2.75美元，中间值平均调升幅度约6%。

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