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摘要: DRAM涨势不断,后遗症逐步显现,渠道商表示,因存储器涨幅过大,下游应用端,尤其是笔电和部分智能手机等市场,不堪侵蚀获利,已开始朝降低搭载量抵制,加上部分新产量陆续在2019年产出,研判明年下半年,DRAM涨势将止步,价格有下调压力。调研机构研究报告显示,三星、SK海力士及福建晋华、合肥睿力等公司的增产计划,都为未来DRAM市场投下新变数,明年DRAM产值虽仍可成长11.8%,但成长已低于今年的67.8%,到2019年,在新产能增加
DRAM涨势不断,后遗症逐步显现,渠道商表示,因存储器涨幅过大,下游应用端,尤其是笔电和部分智能手机等市场,不堪侵蚀获利,已开始朝降低搭载量抵制,加上部分新产量陆续在2019年产出,研判明年下半年,DRAM涨势将止步,价格有下调压力。 调研机构研究报告显示,三星、SK海力士及福建晋华、合肥睿力等公司的增产计划,都为未来DRAM市场投下新变数,明年DRAM产值虽仍可成长11.8%,但成长已低于今年的67.8%,到2019年,在新产能增加,重陷价格战下,年产值将衰选25.9%,且预估有2年的杀戮战。 存储器渠道商表示,三星等主要存储器大厂渠道仍调涨DRAM合约价之下,明年首季DRAM价格仍可望居高不下,不过,DRAM从去年下半年起涨后,已连续六季上涨,今年涨幅更逾七成,已让不少下游应用端吃不消。 虽然业者仍强调市场供不应求的情况,到明年还是无法解决,预估明年新增DRAM供给约21~22%,需求增幅却达22~23%,供给仍有缺口。DRAM荣景让三星、SK海力士及美光在今年各季都缴出亮丽财报,不过,DRAM价格涨幅过大,估计到明年首季,价格和今年初比,涨幅将达八成之高,也打破业者节制性扩产计划。 例如三星稍早宣布计划打算改装韩国华城厂16号线,将原本生产用来生产2D储存型存储器,转去生产DRAM,月增8万到10万片,总产能从当下的39万片提高到最多50万片,明年首季产出开始释出。 此外,SK海力士也宣布在无锡投资86亿美元,兴建第二座晶圆厂,预估2019年投产。预估增产效应,恐让买盘在明年下半年转趋观望。
MLCC受产能供需吃紧影响,价格大涨,已经完全超过预期。根据近期供应链厂商反馈,国巨今年来已经开展了3 轮MLCC涨价计划;潮州三环于10月9日起对MLCC产品价格调整及延长交期,价格调涨幅度在15%以上;国内MLCC龙头风华高科已经宣布调价,0201、0402、0603等主流型号全面涨价5%-30%。
那么MLCC涨价幅度究竟有多大,30%是最高溢价吗?据业内人士向集微网透露,MLCC这一轮涨价已经完成超过预期,其中以村田MLCC的NPO物料涨幅最大,今年初每颗NPO成本价约2毛钱,如今每颗NPO已经涨到1.85元,涨幅近10倍。
为什么这颗NPO电容价格涨幅如此之高?据上述业内人士透露,主要是受iPhone8系列采用无线充电影响,苹果为其无线充电器AirPower已经大量采购了村田的NPO电容,留给国内无线充电厂商的出货量并不多,产能供不应求,再加之这颗电容替代料薄膜电容性能不好,导致村田的NPO电容价格暴涨。
而且每个无线充电器用到的NPO电容远不止一颗,目前有国内厂商推出支持iPhone X的无线充电器就用到6颗NPO电容,按现在1.85/PCS,无线充电器中NPO电容合计要11.1元,甚至更多。
事实上,因无线充电的市场需求激增导致NPO电容价格暴涨,这在MLCC这一轮涨价潮中尚属于个例,毕竟一部普通的智能手机,至少需要300-400 颗MLCC,iPhone7 对MLCC 的用量更达到700 颗,iPhone8 则更多。整体看,MLCC 产品缺货,市场供不应求,可从日系大厂释出产能、供给结构变化调整、以及市场需求大幅增加 3 个面向考察。
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |