雪崩光电二极管利用雪崩击穿电压来增加电荷载流子并增加电流。因其灵敏度和检测微光信号的能力，被广泛应用于高速枪、激光显微镜、PET扫描仪等产品中，今天就来了解一下雪崩光电二极管的类型以及应用领域。

雪崩光电二极管类型

InGaAs雪崩光电二极管

InGaAs 或铟镓砷化物被生动地用于半导体器件。 InGaAs 雪崩光电二极管用于实现远距离光纤通信。 这些可以在 1100-1700 nm 范围内执行光检测。 InGaAs雪崩光电二极管在SNR和灵敏度方面优于普通锗雪崩光电二极管。

大面积雪崩光电二极管

大面积 APD 或 LAAPD 是具有大激活面积的轻型光电二极管。 其特点包括响应时间快、信噪比提高、对磁场不敏感等。

紫光激光–紫外线雪崩光电二极管

如果在盖革模式下工作，紫外线雪崩光电二极管可提供出色的灵敏度。 碳化硅 UV APD 显示出高信号增益和极高的灵敏度。 UV APD 是紫外火焰检测的理想选择。

硅雪崩光电二极管

高硅 APD 非常适合弱光检测。 内部乘法具有出色的光敏性，使其能够检测低光信号。 它还具有改进的线性度、低终端电容和低温度系数。 Si雪崩光电二极管的一些应用是光学测距仪、激光雷达、FSO等。 

硅雪崩光电二极管阵列

在多元素硅 APD 中，耗尽区制造在光敏区域的正下方。 因此，APD 阵列使入射光倍增。 电荷载流子撞击耗尽区。 这意味着硅雪崩光电二极管阵列由于增益而具有低串扰。

盖革模式雪崩光电二极管

盖革模式雪崩光电二极管的开发是为了提供光电倍增管的替代品。 GAPD 在略高于阈值击穿电压的电压下使用单光子计数原理。 在这个电压下，即使是单个电子-空穴对也能够触发强烈的雪崩。 在这种情况下，猝灭电路将电压降低几分之一秒。 这暂时停止了雪崩，并且可以进行光电检测。

雪崩光电二极管应用领域

雪崩光电二极管放大器

与 PIN 光电二极管一样，APD 也使用四通道跨阻放大器来降低噪声、高阻抗和低功耗。 一些放大器还具有温度灵活性和高可靠性。 所有这些特性使光电二极管适用于 LIDAR 接收器。

雪崩光电二极管探测器

APD 在光检测方面优于 PIN 光电二极管，因为它们具有更高的灵敏度。 当给定相对高的电压时，电荷载流子的数量过度增长，并且它们在强电场的作用下被加速。 发生内部碰撞，并发生电荷倍增。 结果，光电流值上升，这改善了整个光检测过程。

光纤通信中的雪崩光电二极管

在光纤通信系统中，通常需要APD来检测弱信号。 必须对电路进行充分优化，以检测保持高电平的微弱信号 SNR（信噪比）。 为了获得良好的SNR，量子效率必须很高。 由于该值几乎接近最大值，因此可以检测到大多数信号。

以上只是雪崩光电二极管类型和应用领域的一小部分，还有很多的内容就需要大家自己去探索了。