2021年SiC/gan功率器件营收预计高速回升
半导体材料的发展历程共经历了三代，第一代材料是硅和锗，第二代材料是砷化镓和磷化铟，第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓。凭借制程成熟及成本较低的优势，以第一代硅质半导体材料制作的元器件已成为了电子电力设备中不可或缺的组成部分。但硅质半导体材料受自身性能限制，无法在高温、高频、高压等环境中使用，化合物半导体遂崭露头角。化合物半导体拥有高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性，符合新世代半导体发展所需，化合物半导体时代遂逐渐来临。
第三代半导体材料又被称为宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等，其中碳化硅和氮化镓比较成熟。
与第二代半导体材料相比，第三代半导体材料的优点是禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、抗辐射能力强、发光效率高、频率高，广泛用于制作高温、高频、大功率和抗辐射电子器件，应用于半导体照明、5G 通信、卫星通信、光通信、电力电子、航空航天等领域。
三代半导体特性及应用领域对比
现阶段，全球95%以上的半导体芯片和器件是用硅片作为基础功能材料而生产的。随着5G、新能源汽车等新兴应用不断涌现，以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料快速崛起。
2021年全球SiC/GaN功率器件营收预计高速回升受益于新能源汽车、轨道交通、光伏逆变器等下游景气应用驱动，全球碳化硅功率器件市场规模不断扩大。IHS Markit 数据显示，2019 年碳化硅功率器件市场规模约6.1 亿美元，受新能源汽车产业链、光伏等景气需求驱动，2025 年碳化硅功率器件的市场规模将达到30 亿美元，2019-2025 年CAGR 为30.4%。
TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体市场调查显示，受到车用、工业与通讯需求助力，2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。SiC器件部分，由于通讯及功率领域皆需使用该衬底，因而6英寸晶圆的供应量显得吃紧，预估2021年SiC器件于功率领域营收可达6.8亿美元，年增32%。此外，因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升，集邦预期2021年GaN器件于通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6,100万美元，年增30.8%及90.6%。
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