带有片上FET功率开关的廉价升压稳压器很适合用于低压升压转换器SEPIC(单端初级电感转换器)，以及反激式转换器。对于较高的电压，设计者一般会采用一种成本更高的方案，包括一个外接FET的控制器，或一个高压升压稳压器。

      还有一种简洁而便宜的方案(图1)。此电路使用了一只ADP1613步进升压DC/DC开关转换器，获得一个48V、100mA电源，满载效率为86%(图2)。该IC包含了一个片上功率开关，在20V时的峰值输出电流为2A。齐纳二极管作为一只并联调节器，为IC提供一个5V电源，并将外接FET的栅极偏置在相同电压下。IC内部的FET与一个高压FET串联，接成级联方式。现在，IC是以共栅极模式驱动外接FET，切换的是外接FET源极的电压，而不是栅极。

图1，本电路设计采用ADIsimPower，用IC内部FET开关驱动外部FET的源极。

    然后，内部FET导通，V X结点驱动至地，而高压FET的栅极保持恒定，导通高压FET。较低的FET用作一个低电阻栅极驱动器，而FET快速导通，获得了低导通损耗。当内部FET关断时，电感电流拉高SW结点， 直到外接F E T 也关断。内部FET可看到的最高电压是栅极电压减外接FET的阈值电压。

    图3，级联FET结构获得了快速的转换和低损耗。这种结构亦能实现更高电压的运行。