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比利时IMEC在直径150mm硅晶圆上形成GaN类高速晶体管

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:230

标签:

摘要:
  比利时IMEC日前成功地在直径150mm的硅晶圆上形成了过去只能在直径100mm以下硅晶圆上形成的GaN类高速晶体管。由于150mm的直径是在产业用途中广泛使用的尺寸,因此“将可能有助于降低GaN类晶体管的生产成本”(GaN类元件研究人员)。
  利用硅取代价格昂贵的蓝宝石底板和SiC底板
  IMEC在直径150mm硅晶圆上形成的是应用于高频通信设备功率放大器等领域的Al


  比利时IMEC日前成功地在直径150mm的硅晶圆上形成了过去只能在直径100mm以下硅晶圆上形成的GaN类高速晶体管。由于150mm的直径是在产业用途中广泛使用的尺寸,因此“将可能有助于降低GaN类晶体管的生产成本”(GaN类元件研究人员)。
  利用硅取代价格昂贵的蓝宝石底板和SiC底板
  IMEC在直径150mm硅晶圆上形成的是应用于高频通信设备功率放大器等领域的Al
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67