据咨询机构iSuppli最新出炉的研究报告，2005年全球高密度NOR闪存市场收入将比2004年下滑7.4，从2004年的56亿美元萎缩到52亿美元，这是由于高密度NOR闪存芯片平均价格下滑造成的。该咨询机构预计NOR芯片的平均价格将从2004年的6.40美元下滑到今年的4.85美元，降幅到24％。ISuppli定义的高密度NOR闪存芯片是指64M比特至1G比特容量的芯片。 　　为了赢得NOR闪存芯片市场份额，这一市场的主流厂商英特尔和AMD旗下的Spansion公司展开了激烈的价格战。来自该咨询机构的高级分析家Mark DeVoss表示，由于价格不断下滑，为了维持可接受的利润率，采用每单元两比特技术成为一种必然。这种每单元含两比特技术包括来自英特尔的StrataFlash技术和Spansion的MirrorBit技术。

　　高密度NOR闪存一大应用是手机，手机对闪存集成度的要求是越来越高，在一些市场推出的3G手机产品对NOR闪存的容量需求达到了1G比特，而2.5G手机对NOR闪存的容量需求也从128M比特提升到了256MG比特。

　　为了满足这一应用领域的需求，芯片厂商必需在多芯片封装包中提供至少256M比特集成度的芯片，而且采用每单元含两比特技术。在三大NOR芯片厂商英特尔、Spansion和STMicroelectronics中，只有英特尔已经推出了满足需求的产品。Spansion和STMicroelectronics在过去的6到9个月通过提供由而到三个128M比特的NOR芯片组成的芯片封装包来满足需求，但是这些NOR芯片采用的是每单元单比特技术（SLC）。然而随着价格的下滑，这种128M比特SLC芯片封装包的利润已经开始大幅度下滑。

　　Spansion现在正在推出256M比特S29WS256N MirrorBit芯片产品，而STMicroelectronics也计划准备推出类似产品。

　　该咨询机构还预测，高密度NOR闪存市场收入将在2006年达到58.53亿美元，2007年达到62.16亿美元，2008年达到66.17亿美元，2009年达到71.09亿美元。

　　受手机市场推动，高密度NOR闪存芯片将成为发展的趋势。今年256M比特至1024M比特闪存芯片收入在整个NOR市场的比重将达到37％，而到2009年这一比重将提升到76％。