TPS1120D的技术参数

来源：华强电子网作者：华仔浏览：459 时间：2016-08-10 14:18

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摘要：产品型号:tps1120dfet数:2漏源电压(v):-15持续漏极电流(vgs=-10v)最大值(a):-1.700静态漏源直流电阻 (vgs=-10v)典型值(mω):180通道极性:p沟道封装/温度(℃):8soic/-40~85描述:双路p沟道增强方式mosfet价格/1片(套):￥10.50

产品型号:tps1120d
fet数:2
漏源电压(v):-15
持续漏极电流(vgs=-10v)最大值(a):-1.700
静态漏源直流电阻 (vgs=-10v)典型值(mω):180
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):8soic/-40~85
描述:双路p沟道增强方式mosfet
价格/1片(套):￥10.50

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型号	厂商	价格
EPCOS	爱普科斯	/
STM32F103RCT6	ST	￥461.23
STM32F103C8T6	ST	￥84
STM32F103VET6	ST	￥426.57
STM32F103RET6	ST	￥780.82
STM8S003F3P6	ST	￥10.62
STM32F103VCT6	ST	￥275.84
STM32F103CBT6	ST	￥130.66
STM32F030C8T6	ST	￥18.11
N76E003AT20	NUVOTON	￥9.67

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