;;; 按照式(3.3)，V的设定值是在LM2574N-5.0源极电位Vs上加上栅极一源极间电压VGS的值。
;;; 图3.6是2SK184 GR档的传输特性。GR档器件的IDSS分散在2.6～6.5mA的范围。那么工作点ID =lmA时伴随着的VGS值分散在-0.4～-O.1V的范围。
;;; 因此，工D =lmA时的VGS的取这个范围的中间值-0.25V。这样，由式(3.3)得到V为：
;;; VG=VS+VGS=2V+(-0.25V)=1.75V;;; (3.17)由式(3.2)可以看出，栅极电位VG是电源电压VDD=15V被栅极偏置电路Ri、R。分压后的值，所以可以把R。的电压降设定为1.75V，将R．的电压降设定为13.25V。因此，Ri与R2之比设定为Ri：R2 =1. 75：13.25。
;;; 双极晶体管中有基极电流流过，所以设定这种偏置电路（基极偏置电路）中的R，和R。值时必须使电流比基极电流大得多（10倍以上）。但是FET器件中没有栅极电流，所以只要保证Ri与R2的比值，其电阻值多大都可以。
;;; R．与R。的值只与电路的输入阻抗Z．有关（后面将测定Zi），如果值太小，将会使得Zi变小，导致电路应用上的困难。所以应取值稍大些，这里取R2一20k0，Ri=150kCl。