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Vishay 推出采用 Int-A-Pak 封装且具有 75A~200A 高额定电流的新系列半桥 600V 及 12

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:288

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摘要: 日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 igbt 技术。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用标准穿通 (pt) igbt 技术,而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf及 ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。gb100ts60npbf、gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模块采用

日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 igbt 技术。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用标准穿通 (pt) igbt 技术,而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf及 ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。gb100ts60npbf、gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模块采用第 5 代非穿通 (npt) 技术,可实现 10μs 短路功能的额外优势。  其中ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf是专为高达 1khz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件;其他六个 igbt 是与用于桥配置的 hexfred? 超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块,这些超快速器件可在硬开关中实现 8khz~60khz 的高工作频率,在共振模式下可实现 200khz 以上的工作频率。  vishay 此次推出的全新 igbt 系列具有 75a~200a 的高额定电流及低功耗,该系列器件专为高频工业焊接、ups、smps、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。特别在输出逆变器 tig 焊机应用中,这些 igbt在额定电流时提供了当前市场上“s”系列模块中最低的 vce(on) 。  上述全新 igbt 系列器件均采用无铅 (pb)化工艺,可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低 emi,可减少缓冲,并可提供超低的结到外壳热阻。  器件规格表:p/n速度 技术 电压 ic vce(on) 典型. ga100ts60sfpbf标准第 4 代 pt600 v100 a1.39 vga200hs60s1pbf标准第 4 代 pt600 v200 a1.13 vga200ts60upbf超快速第 4 代 pt600 v200 a1.74 vga75ts120upbf超快速第 4 代 pt1200 v75 a2.5 vga100ts120upbf超快速第 4 代 pt1200 v100 a2.25 vgb100ts60npbf超快速第 5 代 npt600 v100 a2.6 vgb150ts60npbf超快速第 5 代 npt600 v150 a2.64 vgb200ts60npbf超快速第 5 代 npt600 v200 a2.6 v  目前,这些新型 igbt 模块的样品及量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 8 周。  vishay简介  vishay intertechnology, inc. 是在 nyse (vsh) 上市的“财富 1,000 强企业”,
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67