W9412G6CH;2M×4BANK×16bit DDR SDRAM电路的基本特性：
1) 电源电压(2.5±0.2)V用于DDR266；
2) 电源电压(2.5士0.2)V用于DDR333；
3) 电源电压(2.6±5%)V用于DDR400；
4) 电源电压(2.6±5%)V用于DDR444；
5) 时钟频率为222MHz；
6) 双数据传输率结构，每个时钟周期传输2条数据；
7) 不同的时钟输入（CLK和CLK）；
8) DQS读出数据两边对齐，写入数据居中对齐；
9) 列地址选通脉冲(CAS)时间延迟为2、2.5和3；
10)脉冲长度为2、4和8；
11)自动刷新和自刷新；
12)预充电掉电和有效掉电；
13)写数据掩膜；
14)写延迟=1；
15)刷新间隔为15.6μs（刷新4kbit/64ms）；
16)最大脉冲刷新周期为8；
17)接口为SSTL_2；
18)无铅，遵从RoHS标准。