意法半导体(ST)宣布推出一款250A表面安装的功率MOSFET，新产品STV250N55F3据称拥有市场上最低的导通电阻，可将功率转换的损耗降至最低，并且能够提升系统的性能。

　　新产品STV250N55F3是首款结合ST PowerSO-10TM封装和ribbon bonding技术的功率MOSFET，拥有极低的无裸晶封装电阻率。新产品采用ST的高密度STripFET III制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。STripFET III的其它优点包括?U开关损耗低及抗崩溃的能力。除了提升散热效率外，九线的源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时，封装的额定功率为300W。

　　在同一个系列产品，ST还有一款55V的产品STV200N55F3，此产品的额定连续汲极电流为200A，且其源极联机配置为4线。STV250N55F3样品已供应中，预计于2008年第3季开始量产。