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使用双极结型晶体管和基准IC的大功率并联稳压器

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:369

标签:

摘要: 可通过将VIN和VOUT连接在一起或使VIN保持开路的方式,将一些电压参考用作并联稳压器。但是,此类器件仅可在低电流情况下(典型限值约为10mA)使用。标准的齐纳二极管具有相同的特性,可在高达1W的功率下运行,但其易受大串联电阻的影响。同时使用AD584电压参考和外部通道晶体管(如NTE-244)可实现处理高达50W功率的并联稳压器的合成。


        可通过将VIN和VOUT连接在一起或使VIN保持开路的方式,将一些电压参考用作并联稳压器。但是,此类器件仅可在低电流情况下(典型限值约为10mA)使用。标准的齐纳二极管具有相同的特性,可在高达1W的功率下运行,但其易受大串联电阻的影响。
同时使用AD584电压参考和外部通道晶体管(如NTE-244)可实现处理高达50W功率的并联稳压器的合成。图1所示的电路可用于削减大电流、长持续时间、过电压脉冲,或用作浮空串联压降。


图1:该电路可用于削减大电流、长持续时间、过电压脉冲,或用作浮空串联压降。

AD584电压参考将精密的带隙参考单元、误差放大器和反馈网络结合在一起。直接访问带隙输入可使内部反馈网络被外部通道晶体管和反馈网络所取代。这样就可以在V+和V-端子之间获得稳定的电压。电路包含R13和REB是为了为AD584提供合适偏置,而包含的10nF和0.1μF旁路电容则用来提高稳定性。
RSCALE的值可通过如下公式计算:
VOUT=V+- V-=VBG×(RSCALE/RBG+1)
其中VBG=1.22V。
从数据手册中可以看到,AD584中的内部反馈电阻的值为36kΩ和12kΩ,引脚3处所需的电压为V-+2.5V。因此,可使用如下公式计算R13的值:
12kΩ/(12kΩ+(36kΩ||R13))×(V+- VEB)=2.5V
可将该等式简化为:
R13=-36kΩ×(V+- 2.5- VEB)/(V+- 10 - VEB)
对于NTE-244,VEB=1.5V,因此等式可变为:
R13=36kΩ×(V+- 4)/(11.5 - V+)
图2显示了以五个电压值为例的曲线图。在电压较低的情况下,该电路可吸收5A的电流;在输出电压较高的情况下,该电路可应对50W~60W的功率,当然这取决于NTE-244功率器件的合理散热和温度降额。注意,在更大的电流范围内运行时,该电路的调节性能远优于齐纳二极管。


图2:以五个电压值为例的曲线图。



型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67