日前，德州仪器 (TI) 日前宣布推出集成FET的业界最小型、最高效率的降压转换器，可为电信、网络以及其它应用提供高达25 A的电流。
25 A，14 V的TPS56221集成NexFET MOSFET且简单易用，与SWIFT开关转换器同步，可在12 V输入至1.3 V 输出的高负载条件下，同时实现超过200W/in3的功率密度以及超过90% 的效率，从而可在500 kHz开关频率下提供高达25 A的持续输出电流。最新TPS56121 15 A、14 V同步开关转换器与其它同类产品相比，不但可在5 V输入至1.2 V输出下将效率提高3%，而且还可将开关速度提高2倍。
TI电源管理业务部高级副总裁Sami Kiriaki指出：“板装电源通常有很多电路，因而需要更高的功率密度与电源效率，尤其是那些在更强电流下工作的系统。这两款新产品既可将我们的SWIFT系列产品延伸至更强电流应用的领域，又可帮助我们的客户在功率密度、效率以及热管理方面有所突破，从而为终端设备实现更低的功耗和更高的可靠性。”
TPS56221与TPS56121采用热增强型5毫米 x 6毫米QFN封装，尺寸比其它分立式解决方案小30% ，仅为315 mm2。这两款器件是首批集成TI NexFET技术的产品，可提高热性能、保护功能、效率以及可靠性。它们不但提供 300kHz、500kHz以及1MHz三种可选频率以实现更高的设计灵活性，而且还支持4.5 V～14 V的宽泛输入电压。
TPS56221与TPS56121的主要特性与优势：
·强电流与高效率： 4.5 V～14 V输入电压时，在25 A与15 A峰值负载电流下，效率可超过90%；
·小尺寸与更高功率密度：总体解决方案尺寸仅为315 mm2，可将封装最大限度地缩小，同时实现超过200 W/in3的功率密度；
NexFET功率块支持多相位50 A、100 A及更强电流
除SWIFT转换器的强电流性能之外，TI去年推出的CSD86350Q5D NexFET功率块还可在更强电流下实现高效率的多相位负载点设计。小巧的5 毫米 x 6 毫米堆栈型MOSFET采用接地引线框架SON 封装，支持高达1.5 MHz的频率，可降低热阻抗并简化布局。CSD86350Q5D在25 A电流下效率超过 90%，且还能与TI的TPS40140堆栈控制器相结合，在保持整个负载高效率的同时，支持多相位设计；其电流可扩展至50 A、100 A以及更高。
广泛的降压转换器产品系列
TI可提供业界最广泛的降压转换器，其中包括集成FET的DC/DC转换器、支持外部MOSFET的TPS40KDC/DC控制器以及全面集成型电源解决方案，如集成电感器的最新 TPS84620等。
供货情况
TPS56221与TPS56121采用22引脚5 毫米 x 6 毫米QFN封装，该封装有一个PowerPad散热焊盘，易于焊接。样片与评估板已于3月底面市。
