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凌力尔特1.1A低噪声LDO输出噪声仅为40uVRMS

来源:<a href='http://bbs.hqew.com/viewthread.php?tid=252534' target='_blank'>liuhaoming</a> 作者:华仔 浏览:772

标签:

摘要: 凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出具有高功率密度的低噪声、低压1.1ALDOLT1965。LT1965在满负载时具有仅为300mV的低压差,并具有1.8V至20V的宽VIN能力和1.2V至19.5V的低可调输出。仅为40uVRMS的超低输出噪声降低了仪器|仪表、射频、DSP和逻辑电源|稳压器系统中的噪声,并有益于后稳压开关电源。在整个电压、负载和温度变化范围内,输出容限严格调节在±3%之内。该器件的500uA(工作时)和低于1uA(停机时)的静态电流使其

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出具有高功率密度的低噪声、低压1.1A LDO LT1965。LT1965在满负载时具有仅为300mV的低压差,并具有1.8V至20V的宽VIN能力和1.2V至19.5V的低可调输出。仅为40uVRMS的超低输出噪声降低了仪器|仪表、射频、DSP和逻辑电源|稳压器系统中的噪声,并有益于后稳压开关电源。在整个电压、负载和温度变化范围内,输出容限严格调节在±3%之内。该器件的500uA(工作时)和低于1uA(停机时)的静态电流使其非常适用于需要高输出驱动能力和低电流消耗的应用。

LT1965稳压器用低至10uF的低ESR陶瓷输出电容器优化稳定性和瞬态响应。这些纤巧的外部电容器无需任何串联电阻就能使用,而串联电阻在很多其它稳压器中是常见的。内部保护电路包括电池反向保护、无反向电流、折返电流限制以及热限制。

就需要大的输入至输出压差的应用而言,LT1965可组成非常紧凑和耐热有效的解决方案。该集成电路有多种封装选择,从现代高功率密度、小占板面积和高热效率的DFN和MSOPE封装到较传统的DD-Pak和TO-220电源封装都有。

LT1965EDD采用扁平(0.75mm)8引线DFN(3mm×3mm)封装,LT1965EMS8E采用8引线MSOP封装,LT1965EQ采用表面贴装DD-Pak电源封装,LT1965ET采用TO-220电源封装。所有器件都有现货供应,以1,000片为单位批量购买,每篇起价分别为1.88美元、1.94美元、2.20美元和2.20美元。I级版本器件的价格分别为2.16美元、2.23美元、2.53美元和2.53美元。

性能概要:LT1965

输出电流:1.1A

低压差:在1.1A负载时典型值为300mV

超低输出噪声:40uVRMS

VIN 范围:1.8V至20V

可调VOUT:1.2V至19.5V

输出容限:在整个电压、负载和温度变化范围内为±3%

用低ESR陶瓷输出电容器可稳定(最低10uF)

停机电流:<1uA

电池反向保护

无反向电流

热限制和限流保护

8引脚DFN(3mm×3mm×0.75mm)封装

8引脚MSOP-E封装

5引线DD-Pak封装

5引线TO-220封装

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67