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摘要: 锗检波二极管的特性参数①正向电压降VF:检波二极管通过额定正向电流时,在极间产生的电压降。②额定正向电流lF:在规定的使用条件下,允许通过的最大工作电流。③最高反向工作电压VR:它等于半导体二极管击穿电压的2/3。④击穿电压VB:是指二极管在工作中能承受的最大反向电压,它也是使二极管不致反向击穿的电压极限值。⑤零点结电容C二极管在零偏置下的总电容量。⑥检波效率η:在二极管输入端加上10.7MHz正弦电压时,在输出端上的直
锗检波二极管的特性参数
①正向电压降VF: 检波二极管通过额定正向电流时,在极间产生的电压降。
②额定正向电流lF: 在规定的使用条件下,允许通过的最大工作电流。
③最高反向工作电压VR : 它等于半导体二极管击穿电压的2/3 。
④击穿电压VB: 是指二极管在工作中能承受的最大反向电压,它也是使二极管不致反向击穿的电压极限值。
⑤零点结电容C 二极管在零偏置下的总电容量。
⑥检波效率η:在二极管输入端加上10.7MHz 正弦电压时,在输出端上的直流电压与输入端的峰值电压之比。
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |