8月13日，Z-RAM? 高密度存储知识产权(IP)开发商Innovative Silicon Inc（ISi），与海力士(Hynix)半导体有限公司宣布：海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获得了抢先将Z-RAM引入DRAM市场的机会。为确保这项优势，两家公司已经投入相当大的工程资源共同开发该项目。

Z-RAM最初作为全球成本最低的嵌入式内存技术而应用于逻辑芯片，如移动芯片组、微处理器、 网络和其他消费应用。2005年12月AMD首次获得该项技术授权，将这项技术应用于微处理器设计。目前此次与Hynix的合作，使Z-RAM成为超过300亿美元的存储器市场中成本最低的存储器技术。

?“ Z-RAM保证提供一种在纳米工艺上制造高密度DRAM的最佳方法，” 海力士研发部副总裁Sung-Joo Hong说。“以ISi的 Z-RAM创新为基础，我们看到了开创全新产品平台的潜力，这将帮助我们继续保持和扩展在存储器市场中所处的领先地位。”