飞思卡尔5月10日宣布推出4款基于InGaP异质结双极晶体管（HBTs）和GaAs异质结场效应晶体管（HFETs）的单片微波集成电路（MMIC），分别是MML09211H低噪声放大器、MMA20312B功率放大器、MMG15241H和MMG20271H低噪声放大器。适于3G和4G蜂窝式基站、中继站和家庭基站等。6月提供限量样片，8月供应大量样品。

　　MML09211H的增强型pHEMT低噪声放大器，在865 ～960 MHz频段W-CDMA基站及728～ 768 MHz频段中，包括电路损耗在内，噪声系数为0.6dB，支持从400～1400MHz的运行。小信号增益在900MHz时为20dB，P1dB输出功率为21dBm，隔离为-35dB，900MHz时的三阶交调截点（IP3）为32dBm。

　　MMA20312B 二阶InGaP HBT功率放大器的工作频段为1800～2200MHz，在2140MHz时的P1dB输出功率为31dBm，小信号增益为26dB。

　　MMG15241H的pHEMT低噪声放大器的工作频段为500～2800MHz，噪声系数在2140MHz时为1.6dB，P1dB输出功率为24dBm，三阶交调截点（IP3）为39dBm，小信号增益为15dB。

　　MMG20271H低噪放大器的工作频段为1500～2400 MHz，噪声系数在2140 MHz时为1.8dB， P1dB输出功率为27dBm，三阶交调截点（IP3）为42dBm，小信号增益为15dB。MMG15241H和MMG20271H适合用作发射链中的驱动器放大器或接收链中的二阶低噪放大器。

　　此外，还提供MMG3004NT1、MMG3005NT1和 MMG3006NT1通用功率放大器的应用板卡和射频特征数据，以便与这次的4款MMIC互补。