IGBT管驱动单元由推挽电路与前级比较器IC2D组成，具体电路结构如下图所示。比较器IC2D的“-’输入端是输入同步控制电路产生的锯齿波形，比较器IC2D的“+”输入端是PWM调控电路调制出来的基准电压(此电压也称IGBT管导通时间控制电压)，“+”输入端和“-”输入端通过比较器IC2D比较后，在比较器IC2D输出端产生：IGBT管的驱动方波，驱动方波通过由两个极性互补的三极管Q3、Q4组成的推挽电路，将DEVICE输出端的输出脉冲电压提高到18V左右，以满足IGBT管的驱动要求。当比较器IC2D“+”输入端的IGBT管导通时间门限电压改变时，驱动电路输出的方波占空比也会随之改变，因此IGBT管的导通时间也会改变。由前面逆变部分电路分析可知，．IGBT管的导通时间直接影响电磁炉的输出功率，所以要改变电磁炉输出功率，只要在电路上改变驱动电路比较器IC2D“+”输入端的基准电压即可。