(1)过电流损坏
　　
　　为了避免IGBT管发生锁定效应而损坏，在电路设计中应保证IGBT管的最大工作电流不超过IGBT管的IDM值，同时注意可适当加大驱动电阻RG来延长关断时间，减小IGBT管的di/dt。驱动电压的大小也会影响IGBT管的锁定效应，驱动电压低，承受过电流时间长。IGBT管必须加负偏压，IGBT管生产厂家一般推荐加-5V左右的反偏电压。在有负偏压的情况下，驱动正电压在10～15V之间。IGBT管发射极的电流可在5～10μs内超过额定电流的4～10倍，所以IGBT管必须设有驱动负偏压。

　　由于负载冲击特性各不相同，且供电的设备可能发生电源短路故障，所以在设计中采取限流措施进行IGBT管的电流限制也是必需的，可考虑采用IGBT管厂家提供的驱动厚膜电路。如FUJI公司的EXB841、EXB840以及三菱公司的M57959AL、M57962CL，它们对IGBT管的集电极电压进行检测，如果IGBT管发生过电流，则由内部电路关断驱动信号。这种办法有时还是不能保护IGBT管，IR公司推荐的短路保护方法是：首先检测通态压降UCE。如果UCE超过设定值，保护电路马上将驱动电压降为8V，于是IGBT管由饱和状态转入放大区，通态电阻增大，短路电流下降，经过4μs连续检测通态压降UCEO，如果正常，将驱动电压恢复正常；如果未恢复，将驱动信号关断，使集电极电流减为零。这样实现短路电流软关断，可以避免快速关断造成的过大di/dt损坏IGBT管。

　　另外，根据三菱公司的最新资料，三菱公司推出的F系列IGBT管均内含限流电路(RTC Circuit)，当发生过流时，在10μs内将IGBT管的驱动电压减为9V，配合M57160AL驱动厚膜电路可以快速实现软关断保护IGBT管。

　　(2)过电压损坏
　　
　　防止过电压损坏的方法有：优化主电路的工艺结构，通过缩小大电流回路的路径来减小线路寄生电感；适当增加IGBT管的驱动电阻RG，使开关速度减慢（但开关损耗也增加了）；设计缓冲电路，对尖峰电压进行抑制。用于缓冲电路中的二极管必须是快恢复二极管，电容必须是损耗小、频率特性好的高频薄膜电容。这样才能取得好的吸收效果。常见电路有耗能式和回馈式，回馈式又有无源式和有源式两种，详细电路设计可参见所选器件的技术手册。

　　IGBT管的UGE的保证值为+20V，若超出保证值，将会导致IGBT管损坏，因而在栅极和发射极之间的电压不能超出保证值。此外，在栅极和发射极之间开路时，若在集电极和发射极间加上电压，随着集电极电位的变化，由于有漏电流(i)流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。如果此时集电极和发射极之间处于高电压状态，可能使芯片发热而损坏。

　　在应用中，如果IGBT管的栅极回路处于开路状态，在主回路上加上电压时，也将导致IGBT管损坏。为防止这类情况发生，应在IGBT管的栅极和发射极之间接一只10kΩ左右的电阻。为防止因静电而造成IGBT管损坏，在IGBT管应用中应注意以下几点：

　　①在使用模块时，手持IGBT管组件时，请勿触摸驱动端子部分。

　　②在用导电材料连接驱动端子的模块时，在配线未布好之前，不要先接上模块。

　　③尽量在底板接地良好的情况下操作。

　　④当必须触摸IGBT管的驱动端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻（1MΩ左右）接地进行放电，然后再触摸。

　　⑤在焊接作业时，电烙铁容易产生感应电压。为了防止感应电压的产生，应使电烙铁处于良好的接地状态。

　　(3)过热损坏
　　
　　可通过降额使用，加大散热器，涂敷导热胶，强制风扇冷却，设置过温度保护等方法来解决过热损坏的问题。