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用MAX1797升压型DC-DC转换器提升电池电压的电路

来源:-- 作者:-- 浏览:586

标签:

摘要: 利用升压型DC-DC转换器IC2提升电池电压的电路图。 IC2芯片MAX1797将电池电压Vbatt升压至5V(Vout),并且Vout能够向负载输出的450mA电流。 其低电池电压检测电路和真正的关断能力将保护Li+电

       利用升压型DC-DC转换器IC2提升电池电压的电路图。  IC2芯片MAX1797将电池电压Vbatt升压至5V(Vout),并且Vout能够向负载输出的450mA电流。
        其低电池电压检测电路和真正的关断能力将保护Li+电池不被过放电。这种“真正”的关断功能通过断开电池和输出来实现,将电池电流降低至2μA。低电池电压门限(LB1引脚电平)由Vbatt和GND之间的外部电阻分压器R3与R4(分压器的中点连接至LBI引脚)来设定。将低电池电压输出引脚LBO 连接至关断引脚SHDN。则在低电池电压条件下,导致IC2与负载断开。

 

        当低电池电压检测电路将低电压电池与负载断开时,Li+电池的内阻将使IC2容易形成振荡。这是因为当电池内阻引起的压降消失后,电池电压将增加,使IC2再次打开。例如0.5Ω内阻的Li+电池,在源出500mA的电流时,在其内阻上将产生250mV的压降。当IC2电路断开负载时,电池电流将降为0,电池电压会升高250mV。为此,通过低电池在检测电路引入滞回,LBO端的N沟道MOSFET管将消除这种振荡。
        电路的低电池门限电压设置为2.9V。当Vbatt降至2.9V以下时,LBO打开(电平提高),将SHDN拉高,MOSFET管导通。在MOSFET管导通的情况下,电阻R5(1.3MΩ)和R4(249kΩ)组成并联电路,将电池的开通电压门限(引脚LB1)提升至3.3V,从而消除了振荡。
       从以下公式计算可见:其中 VLB1=0.85V,将R3=604kΩ, R4=249kΩ代入公式(1)得低电池门限电压Vbatt(TURN-OFF)为2.9V。
,将R3=604kΩ,R4=249kΩ,R5=1.3MΩ代入公式(2),则电池开通电压门限Vbatt(TURN-OFF) 提升到3.3V。


型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67