电子产业
数字化服务平台

扫码下载
手机洽洽

  • 微信小程序

    让找料更便捷

  • 扫码下载手机洽洽

    随时找料

    即刻洽谈

    点击下载PC版
  • 华强电子网公众号

    电子元器件

    采购信息平台

  • 华强电子网移动端

    生意随身带

    随时随地找货

  • 华强商城公众号

    一站式电子元器件

    采购平台

  • 芯八哥公众号

    半导体行业观察第一站

行输出管烧毁的原因探索

来源:-- 作者:-- 浏览:300

标签:

摘要: 1.行频过低:当行频长时间处于过低状态时因行电流过大而烧毁“行管”。   2.行激励不足:当行激励不足时,“行管”管压降、管耗增大而易烧毁“行管”。   3.行逆程电容开路或容量减小:行逆程电容开路或容量减少,致使“行管”集电极脉冲电压幅度增 大而易被高压击穿。   

  1.行频过低:当行频长时间处于过低状态时因行电流过大而烧毁“行管”。

  2.行激励不足:当行激励不足时,“行管”管压降、管耗增大而易烧毁“行管”。

  3.行逆程电容开路或容量减小:行逆程电容开路或容量减少,致使“行管”集电极脉冲电压幅度增  大而易被高压击穿。

 

  4.行输出变压器(高压包)短路:致使行电流大增而烧“行管”。

  5.S 校正电容短路:会使行电流大增。

  6.电源电压突然升高:因稳压系统失控,使“行管”被高压击穿。

  7.行管质量不佳:如;耐压不够;功率不足;开关特性不良等。

  8.其他:如:阻尼二极管开路;升压电容短路;硅柱短路等。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67