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摘要: 真空击穿是一个综合的复杂的物理过程,主要因素有:真空度,电极材料,电极距离,压力的影响,老练作用,开断电流的大小,操作条件的影响等。 真空间隙的电击穿有两方面因素:一是场发射,一是微粒撞击。对于小间隙场致发射作用较大,大间隙中微粒撞击可能性较多。 1).场致发射--经过机械磨光和洗净的电极两面,微观上仍然存在凹凸不平,存在许多微米级的尖峰突出物,尖峰处的局部电场可能增加上百倍,会发射电
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |