日前，英特尔和美光科技已经合作开发了一种“Three-bit-per-cell（每个单元可存储3位数据）”的全新NAND闪存技术，并表示使用这种技术的闪存芯片是业内效率最高的NAND产品。目前几乎所有的闪存芯片都只能在每个单元中存储1位或两位数据，而存储3位数据的技术则可起到提高容量和降低成本的作用。

 NAND芯片通常用于闪存卡和U盘等存储设备，存储器的访问方式类似于硬盘。最近几年来，闪存技术发展极为迅速，并且已经广泛应用到各种便携式终端，显示出巨大的发展潜力。一方面，随着半导体技术的改良，存储芯片越来越小，单位体积的存储容量不断增大。另一方面，其应用场合也不断扩大。英特尔此前称，该公司正在向更加先进的34纳米制造工艺转型，来生产其基于NAND闪存技术的固态硬盘产品，这种产品将可帮助PC和笔记本电脑厂商降低成本。英特尔和美光科技表示，两家公司将通过其合资企业从第四季度开始大规模生产这种芯片。双方将通过努力，进一步缩小NAND的芯片尺寸。