摘要： 来自美国加州大学亨利·萨缪理工程和应用科学分院， 美国普渡大学和IBM公司的研究人员最近成功开发出了一种采用硅锗半导体材料制成的纳米线，采用这种技术，科学家们可以开发出尺寸更小的微电子设备。这种硅锗材料纳米线的直径可控制在数十至数百纳米之间，长度则可达数微米。研究者可以以这种技术为基础，研发出更高性能的高速电子设备。　　该技术的研发团队展示了几种原子级尺寸的，采用不同的硅锗材料制成的