摘要： 台湾积体电路制造股份有限公司今(17)日宣布领先专业积体电路制造服务领域，成功开发28纳米低耗电技术，同时配合双/三闸极氧化层(dual/triple gate oxide)工艺，将32纳米工艺所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28纳米工艺，使得半导体可以持续往先进工艺技术推进。此一工艺技术的优势还包括高密度与低Vcc_min六