摘要： 英特尔公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）近日宣布，双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺，推出每单元储存3比特（3-bit-per-cell，简称3bps）的多层单元（MLC）NAND技术试用产品。这些芯片最适合用于闪存卡和USB驱动器等消费存储设备，在这类应用场合中，高密度和性价比是首要考虑的问题。 双方组建的NAND闪