日前，Vishay Intertechnology延长offeringof的TrenchFET?P沟道第三代功率MOSFET新器件采用PowerPAK?ChipFET?的PowerPAK 1212-8S包s的。在移动计算和工业控制设备，日前，Vishay Siliconix MOSFET今天发布功能，从而提高功率效率设计了业界最低的为-12 V和-20 V器件在-4.5 V和-2.5 V的栅极驱动器导通电阻在3.0毫米1.9毫米和3.3毫米×3.3毫米的占位面积区域。

，Si5415AEDU Si5411EDU和SiSS23DN了广泛的应用，包括智能手机，平板电脑，笔记本电脑，工业传感器和POL模块的电源管理进行了优化，负载，电池和监控开关。设备行业的低导通电阻，使设计人员能够在他们的电路实现低电压下降，促进更有效地利用功率和更长的电池运行时间。

在实际应用中，节省PCB空间是至关重要的，-12 V Si5411EDU的提供低导通电阻为8.2MΩ（-4.5 V）和11.7MΩ（-2.5 V）在3.0毫米1.9毫米的PowerPAK ChipFET封装。当需要更高的额定电压，-20 V Si5415AEDU的拥有9.6MΩ（-4.5 V）和13.2MΩ（-2.5 V）的值。这两款器件提供的应用需要非常低的导通电阻，典型的ESD保护5000五的SiSS23DN提供值4.5MΩ（-4.5 V）和6.3MΩ（-2.5 V）在3.3毫米3.3毫米的PowerPAK 1212-8S包带低0.75毫米轮廓。

Si5411EDU Si5415AEDU，和SiSS23DN是100％的Rg和UIS测试。MOSFET是无卤素的的JEDEC JS709A定义及符合RoHS指令2011/65/EU。

设备规格

Si5411EDU

• VDS（V）：-12
• 时的Vgs（V）：±8 *
• RDS（MΩ） - 4.5V 8.2 - 3.7V：9.4 - 2.5V：11.7 - 1.8V：20.6
• 封装的PowerPAK ChipFET

Si5415AEDU

• VDS（V）：-20
• 时的Vgs（V）：±8 *
• RDS（MΩ）@ - 4.5V：9.6 - 3.7V - 2.5V：13.2 - 1.8V：22.0
• 封装的PowerPAK ChipFET

SiSS23DN

• VDS（V）：-20
• 时的Vgs（V）：±8 *
• RDS（MΩ）@ - 4.5V：4.5 - 3.7V - 2.5V：6.3 - 1.8V：11.5
• 包装：1212-8S的PowerPAK