台积电正多管齐下打造兼顾效能与功耗的新世代处理器。为优化处理器性能并改善电晶体漏电流问题，台积电除携手硅智财（IP）业者，推进鳍式电晶体（FinFET）制程商用脚步外，亦计画从晶圆导线（Interconnect）和封装技术着手，加速实现三维晶片（3D IC）；同时也将提早布局新一代半导体材料，更进一步提升电晶体传输速度。

台积电先进元件科技暨技术型电脑辅助设计（TCAD）部门总监Carlos H.Diaz表示，由于行动处理器须兼具高效能、低功耗价值，且每一代产品更迭迅速，因此晶圆厂已不能单纯从制程微缩的角度出发，必须着眼晶圆制程相关的各个环节，方能满足IC设计业者需求。基于此一概念，台积电将同步改良电晶体、导线及封装结构，以提高晶片电晶体密度、传输速度，并降低漏电流。

Diaz指出，台积电将一改过去花2年时间跨入下一个制程世代的规画，2014年发表20奈米（nm）方案后，将提早1年在2015年推出16奈米FinFET，以3D结构增加电晶体密度并减少漏电流情形。该公司正携手安谋国际（ARM）、Imagination推动FinFET试产，并加紧研发水浸润式微影（Water Immersion Lithography）双重曝光（Double-patterning）技术，以及极紫外光（EUV）单曝光（Single Exposure），期提早跨越量产成本门槛。

Diaz也透露，就目前与Imagination的技术合作进展来看，预估2015年16奈米FinFET正式上市后，相较于现有28奈米处理器，内建GPU将达到十倍以上的每秒浮点运算次数（FLOPS），并将扩增四倍以上频宽，有助在更小的GPU单位面积下，激发更多运算效能。

至于晶圆导线和封装结构部分，台积电也计画以2.5D/3D IC方案，克服高密度晶片整合、散热和连接功耗等问题。Diaz强调，平面式晶片已逐渐面临效能、功耗改善的瓶颈，晶圆厂须取法3D电晶体概念，利用硅穿孔（TSV）等封装技术革新，达成晶片子系统堆叠设计；同时还须针对晶圆后段导线制程（BEOL）导入新一代低介电常数（Low K）材质，以缩减金属导线互连的电阻电容延迟（RC Delay）。

据悉，目前台积电已透过独家CoWoS 2.5D制程，成功堆叠逻辑晶片与Wide I/O记忆体，未来终极目标係将手机内部所有晶片子系统融合在一起，实现超高整合度的晶圆系统层级设计。

除了在「硅」晶圆上下功夫外，晶圆厂也须开发新的半导体材料。Diaz指出，随着半导体制程加速演进，硅材料的物理极限已近在咫尺，驱动晶圆厂提早展开换料布局，包括叁五族（III-V）、镍或锗等材料均是极具发展潜力的替代选项。为巩固晶圆代工市场龙头地位，台积电已在全球各个知名大学、研究机构发起下世代半导体材料研究计画，藉以强化晶圆生产各段的技术能量。