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国外集成电路命名方法(十)

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:312

标签:

摘要: 缩写符号:SIC 译名:西格尼蒂克公司(美)器件型号举例说明NE5534N首标器件编号封装当有第二位字母时表示温度范围:CK:芯片;表示引线数75、N、NE:(0~70)℃D:微型(SO)塑料;B:3;(0~75)℃;E:金属壳(TO-46,TO-72)C:4;55、S、SE:4线封装;E:8;(-55~125)℃;F:陶瓷浸渍扁平;F:10;SA:(-40~85)℃;G:芯片载体;H:14;SU

缩写符号:SIC 译名:西格尼蒂克公司(美)
器件型号举例说明

NE
5534
N
首标器件编号封装当有第二位字母时表示温度范围:CK:芯片;表示引线数75、N、NE:(0~70)℃D:微型(SO)塑料;B:3;(0~75)℃;E:金属壳(TO-46,TO-72)C:4;55、S、SE:4线封装;E:8;(-55~125)℃;F:陶瓷浸渍扁平;F:10;SA:(-40~85)℃;G:芯片载体;H:14;SU:(-25~85)℃。H:金属壳(TO-5)J:16;8、10线封装;K:18I:多层陶瓷双列;L:20;K:TO-3型;M:22;N:塑料双列;N:24;P:有接地端的微型封装;Q:28;Q:多层陶瓷扁平;W:40;R:氧化铍多层陶瓷扁平;X:44;S:功率单列塑封;Y:48;W:陶瓷扁平。Z:50。同时生产与其它公司相同型号的产品。该公司并入PHIN公司。

缩写符号:SIEG 译名:西门子公司(德)
器件型号举例说明(与欧共体相一致)
TB
B
1458
A
GG
首标温度范围器件编号改进型封装第一字母表示:A:没规定范围;首位字母表示封装形式:S:单片数字电路;B:(0~70)℃;C:圆壳;T:模拟电路;C:(-55~125)℃D:双列直插;U:模拟/数字混合D:(-25~70)℃;E:功率双列(带散热片);电路。E:(-25~85)℃;F:扁平(两边引线);第二字母,除"H"F:(-40~85)℃。G:扁平(四边引线);表示混合电路外,K:菱形(TO-3);其它没明确含义。M:多列引线(双、三、四列电路系列由两字母加以除外);区分。Q:四列直插;R:功率四列(带散热片);S:单片直插;T:三列直插。第二位字母表示封装材料:C:金属-陶瓷;G:玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍);M:金属;P:塑料。(半字符以防前后符号混淆)
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67