摘要： 力晶半导体公司昨日发布公告称该公司取得美国专利局核发的US 7465632专利。该专利描述了一种埋入式掺杂区的形成方法，包括：首先提供一衬底，在衬底上形成第一绝缘层。之后，图案化第一绝缘层以形成往第一方向延伸的开口，在开口所暴露的衬底中形成埋入式掺杂区。然后，在衬底上形成第二绝缘层，此第二绝缘层填满开口，并与第一绝缘层构成为第三绝缘层。然后，图案化第三绝缘层以形成一隔离层，并暴露衬底及埋入式掺杂区