钛酸铜钙（CCTO）作为一种新型非铁电巨介电材料，自2000年被Subramanian首次报导以来，引起了研究人员的广泛关注。钛酸铜钙具有独特的介电特性和良好的综合性能，使其有可能在高密度能量存储、薄膜器件、高介电电容器等一系列高新技术领域中获得广泛的应用。

　　在已有的报导中，关于钛酸铜钙的研究多集中在低频领域（低于1兆赫兹），其在太赫兹频段的介电特性则鲜有报导。为达到实际应用，室温条件下在宽频范围内对其介电常数进行调制是十分有必要的。

　　基于此，武汉国家光电实验室太赫兹光电子学团队的吴亮博士在导师姚建铨教授和凌福日副教授的指导和帮助下用实验方法测量了钛酸铜钙陶瓷在太赫兹频段的介电特性，并且用外加光场的方法对其介电常数进行了调制，调制深度达到7%.该团队同时发现样品折射率的变化与外加光场的强度成线性关系，这些变化被认为是由材料中光生载流子导致的自发极化的改变引起的。

　　该项研究对新型太赫兹调制器件和探测器件的基础研究和分析、设计具有指导意义。这一工作得到了国家自然科学基金（10974063），武汉光电国家实验室研究基金（P080008）和国家重点基础研究发展（973）计划（2007CB310403）课题的资助。研究成果已在美国光学学会的Optics Express上发表[Liang Wu, Furi Ling, Ting Liu,Jinsong Liu, Yebin Xu and Jianquan Yao, Opt. Express, Vol.19, No.6,5118-5125 （2011）。