金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)制程再进化。英飞凌(Infineon)日前成为全球首家以12寸薄晶圆技术制造车用功率MOSFET的厂商，该公司推出的首款OptiMOS 5 40V产品系列能针对减碳排放的应用进行最佳化。
英飞凌汽车电子事业处总裁Jochen Hanebeck表示，透过以12寸薄晶圆技术制造汽车功率MOSFET，英飞凌可用具竞争力的价格，量产高效能的汽车功率MOSFET；该公司的12寸生产线具有安全供应链和长远的生产蓝图，使得汽车客户能从中受惠。

据了解，英飞凌先进的12寸薄晶圆技术是提升新一代汽车功率MOSFET产品效能的关键；藉由薄晶圆技术，能够将功率耗损降到最低，更能达成MOSFET的微型设计，提升其高系统效率和功率密度。

相较于前一代OptiMOS，OptiMOS 5 40V产品减少了40%的导通电阻(RDS(on))，还能大幅降低功率损耗；除此之外，此代产品的优值系数RDS(on)xQg减少35%，因此能最佳化切换特性。

由于OptiMOS 5 40V产品具有高功率密度和能源效率，因此可支援多种汽车BLDC和H型桥式驱动应用，如电动窗、车门控制、天窗、燃油帮浦，以及阀门控制和快速切换直流对直流(DC-DC)转换器。

尺寸方面，12寸薄晶圆的厚度仅60μm(0.06mm)，比一张厚度约为110μm(0.11mm)的标准书写纸还薄，因而让采用该技术的OptiMOS 5功率半导体成为业界最薄的产品。

据悉，英飞凌OptiMOS 5薄晶圆产品组合的首款产品为40V版本，该产品采用S308封装(TSDSON-8)，尺寸仅3.3毫米(mm)×3.3毫米，并由英飞凌位于奥地利菲拉赫(Villach)的晶圆厂制造。

另一方面，由于12寸晶圆的直径比标准8寸晶圆长50%，因此每片12寸晶圆所生产的晶片数可达后者的二点五倍。