德州仪器的LM74610-SQEVM针对于取代肖特基二极管的反极性保护方案，提供了较为方面的解决方案。此款评估模块同样继承了零Iq和低反向漏电流的优点，在接下来的内容中小编将为大家介绍关于这款评估模块的相关细节。

LM74610-SQEVM评估模块展示了可用于取代肖特基二极管和P通道MOSFET的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中，LM74610智能二极管控制器用于为40V（VDS）外部N通道MOSFET提供栅极驱动。LM74610-SQEVM与电源串联时模拟理想的二极管属性。在输入中感应到负电压时，LM74610拉下MOSFET栅极并将连接的负载与电源隔离。TVS电压钳位二极管D1_1和D1_2负责保护LM74610-SQEVM的安全以便进行ISO7637瞬态脉冲测试。

LM74610-SQEVM

特性

最高输入电压为MOSFET的漏源极电压：40V；

快速响应动态电流反向：<10μs；

最高输入电压为MOSFET的漏源极电压：40V；

最大负载电流为漏电流（Id）：75A；

零Iq和低反向漏电流；

符合汽车ISO7637和CISPR25要求；

通过以上介绍可以看到，此款评估模块不仅拥有较大的负载漏电流，并且由于不以接地为目的的设计，能够实现较好的零Iq和低反向漏电流效果。对此类参数有一定要求的朋友不妨通过本文来对德州仪器（TI）的此款器件进行全面的了解。