晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。

    5月4日，英特尔宣布已开发出可投入大规模生产的三维结构晶体管，再一次实现了晶体管的重大革命。下面介绍下晶体管的十大里程碑：

    1、 1947年12月16日：WilliamShockley、John Bardeen和Walter Brattain在贝尔实验室成功开发出首个晶体管。

    2、　1950年：William Shockley开发出双极结型晶体管，就是现在通行的标准晶体管。

    3、　1961年4月25日：罗伯特?诺伊斯获得首个集成电路专利。最初的晶体管对于收音机和电话而言已经足够了，但是更新的电子设备要求规格更小的晶体管――集成电路。

    4、　1965年：摩尔定律诞生――戈登?摩尔在《电子杂志》发表的文章中预测：未来芯片上晶体管的数量大约每年翻一倍（10年后，修正为每两年翻一倍）。三年后，摩尔和诺伊斯创建了英特尔公司，英文名Intel即“集成电子（integrated electronics）”的缩写。

    5、　1969年：英特尔开发出首个成功的PMOS硅栅极晶体管技术。这些晶体管继续使用传统的二氧化硅（SiO2）栅介质，但是引入了新的多晶硅栅电极。

    6、　1971年：英特尔推出首个微处理器――4004。4004的规格为1/8英寸×1/16英寸，包含2250个晶体管，采用英特尔10微米PMOS技术在2英寸晶圆上生产。

    7、　1985年：英特尔386 微处理器问世，含有275,000个晶体管，是最初4004晶体管数量的100多倍。386是32位芯片，具备多任务处理能力，可同时运行多个程序。最初是使用1.5微米CMOS技术制造的。

    8、　2002年8月13日：英特尔发布了90纳米制程技术的若干技术突破，包括高性能、低功耗晶体管，应变硅，高速铜质接头和新型低-k介质材料。这是业内首次在生产工艺中采用应变硅。

    9、　2007年9月：英特尔公布采用突破性的晶体管材料――高-k金属栅极。英特尔将采用这些材料在公司下一代处理器――英特尔 酷睿 2双核、英特尔酷睿2四核处理器以及英特尔至强 系列多核处理器的数以亿计的45纳米晶体管中用来构建绝缘“墙”和开关“门”，研发代号为Penryn。

    10、2011年5月3日――英特尔宣布将批量生产一种全新的晶体管设计。三栅极晶体管将在各种计算设备中（从服务器到台式机，从笔记本电脑到手持式设备）实现前所未有的高性能和能效。