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摘要: 本文介绍的是一款非隔离、高功率因数(PF)、可控硅调光的LED驱动器,它可以在190 VAC 至265 VAC(典型值为50Hz)的输入电压范围内为LED灯串提供额定电压120V、额定电流100 mA的驱动。该LED驱动器采用了LYTSwitch-4系列IC中的LYT4322E器件。
本文介绍的是一款非隔离、高功率因数(PF)、可控硅调光的LED驱动器,它可以在190 VAC 至265 VAC(典型值为50Hz)的输入电压范围内为LED灯串提供额定电压120V、额定电流100 mA的驱动。该LED驱动器采用了LYTSwitch-4系列IC中的LYT4322E器件。
所采用的拓扑结构是单级、非隔离、降压-升压式拓扑结构,可满足本设计的高功率因数、恒流调整和调光要求。
电路描述
LYTSwitch-4 LYT4322E器件是一种将控制器和725 V功率MOSFET集成在一起的器件,用于LED驱动器应用。LYTSwitch-4 LYT4322E可用于单级降压-升压式拓扑结构,提供调节的恒流隔离输出,同时使AC输入保持高功率因数。
输入EMI滤波
功率电路
本设计所采用的拓扑结构为低压端开关降压-升压式配置,可在190 VAC至265 VAC的输入电压范围内提供高功率因数和恒流输出。
输出二极管D3每当U1关断时就会导通,将能量传输至负载。在C3上的电压(整流后的输入AC)降到输出电压以下时,需要使用二极管D5来防止反向电流流经U1。
为向U1提供峰值输入电压信息,经整流AC的输入峰值经由D2对C4充电。然后电流经过R9和R10,注入U1的电压监测(V)引脚。电阻R9和R10所选取的值可以在230 VAC输入下提供~100μA的IV(来自PIXls设计表格)。
输入过压关断功能(通过V引脚电流检测)可使整流后的线电压承受能力(在浪涌和线电压陡升期间)达到内部功率MOSFET的额定725 BVDSS。
电容C7对U1的BP引脚进行局部去耦,该引脚是内部控制器的供电引脚。在启动期间,C7从与U1的D引脚相连的内部高压电流源被充电至约6 V。
电路原理图
性能测试结果
实物图
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |