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三星、力晶猛喊节制扩产 DRAM厂:高手过

来源:<a href='http://bbs.hqew.com/viewthread.php?tid=191685' target='_blank'>caiduoshi</a> 作者:华仔 浏览:695

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摘要: 三星电子(Samsung Electronics)半导体事业社长权五铉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日来台参加全球半导体联盟(GSA)论坛,吸引DRAM业者纷前来聆听龙头厂对景气风向球。权五铉表示,2010年下半DRAM价格可以维持稳定,未来DRAM业者不应一昧地追求价格和成本,而是要节制疯狂扩充产能;力晶董事长黄崇仁在现场亦举手建言,呼吁大家不要再乱投资扩产,要追求合理价格更胜于超额利润;此番台、韩存储器厂高层过招,成为整个论坛最大高潮。权五

    三星电子(Samsung Electronics)半导体事业社长权五铉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日来台参加全球半导体联盟(GSA)论坛,吸引DRAM业者纷前来聆听龙头厂对景气风向球。权五铉表示,2010年下半DRAM价格可以维持稳定,未来DRAM业者不应一昧地追求价格和成本,而是要节制疯狂扩充产能;力晶董事长黄崇仁在现场亦举手建言,呼吁大家不要再乱投资扩产,要追求合理价格更胜于超额利润;此番台、韩存储器厂高层过招,成为整个论坛最大高潮。

    权五铉16日在GSA论坛发表有关半导体市场及存储器技术演说,台湾重量级记忆体厂高层纷前来聆听三星对于产业看法,包括力晶黄崇仁、瑞晶总经理陈正坤、华邦董事长焦佑钧、旺宏总经理卢志远、钰创董事长卢超群、南亚科副总白培霖等,均到场聆听。

    权五铉指出,2010年上半终端市场需求表现相当强劲,对于下半年DRAM价格看法以稳定视之,由于产业正处于DDR2转进DDR3规格期间,下游厂陆续导入DDR3规格,下半年市场不会发生供过于求情况。他认为,过去数10年来DRAM产业价格波动相当剧烈,各家DRAM大厂不应该再陷入盲目扩产,只是一昧追求成本和价格迷思,应该要更重视价值导向,追求先进制程技术或新技术产品等。

    黄崇仁亦在会场问答过程中不断举手对三星及同业建言,他指出,未来DRAM产业要更重视利润导向胜于超额获利,不要再过度投资扩产,重复供过于求和价格崩盘命运。他强调,未来DRAM市场最好是吃紧,而非缺货,因为后者会导致价格剧烈波动,目前DRAM价格维持在2.5~3.0美元是很好价位,再超过则非产业之福。再者,过去几年DRAM价格大涨大跌,是因为全球经济货币过于宽松,导致各厂容易筹资,未来大家募资不易,在扩产上会更加小心。

    黄崇仁认为,台湾DRAM产业未来还是非常有东山再起机会,大家都在谈技术问题,但象是奇梦达(Qimonda)拥有自有技术,最后还是退出市场,现在DRAM产业价格回升,大家也都开始赚钱,台厂在成本竞争上仍具有优势,这2年台湾DRAM产业损失相当惨重,要赶快趁着价格回升至合理时,把钱赚回来。

    多家存储器业者则表示,三星和力晶 16日在公开场合表明要节制扩产,似乎是上演高手过招戏码,然大家是内行人看门道,深知在DRAM产业中,向来都只是嘴上呼吁别人要节制扩产,但私下只要有钱一定是默默增产,这几年DRAM产业受到崩盘和大赔之苦,DRAM厂若真的节制扩产,应该是募不到钱,而非心甘情愿缩手。

    此外,对于三星未来存储器产品规画,权五铉指出,目前三星DRAM主流制程是50奈米,产品规格以2GB为主,到2012年将进展至20奈米制程,产品会以8GB为主;在NAND Flash产品上,2010年系以35/32奈米制程及32GB产品为主,到2012年技术会演进至10奈米制程,产品则会以128/256GB为主。

    对于各界所关心固态硬碟(SSD)何时普及于个人计算机(PC),权五铉对此直言,目前SSD每GB价格是传统硬碟10倍,对于消费者而言仍然太贵,即使 SSD每GB价格缩小至硬碟5倍,普及效应仍是有限,最有利于SSD大量普及于PC市场,应是每GB价格下降至1美元,三星推估要等到20奈米或10奈米制程量产后,才能达到此目标。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67