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Cu(In,Ga)Se2材料成分对其电池性能的影响

来源:<a href='http://bbs.hqew.com/viewthread.php?tid=198744' target='_blank'>mahuaxiao</a> 作者:华仔 浏览:733

标签:

摘要:   利用三步共蒸发法制备铜铟硒薄膜太阳电池中的吸收层CIGS薄膜,采用多种测试手段,研究其成分比例与薄膜的电阻率、载流子浓度、表面粗糙度之间的关系.电阻率为10^2~10^3Q?cm之间,是Cu、Ⅲ族元素、Se配比较为合适的区域,载流子浓度在10^15~10^16cm^-3范围内,薄膜表面粗糙度是随着Cu/(Ga+In)比呈下降趋势,Cu越多,表面越光滑,当Cu/(Ga+In)比超过1.25以后,变化趋势逐渐减弱.当Cu/(Ga+In)比在1.0附近时,粗

  利用三步共蒸发法制备铜铟硒薄膜太阳电池中的吸收层CIGS薄膜,采用多种测试手段,研究其成分比例与薄膜的电阻率、载流子浓度、表面粗糙度之间的关系.电阻率为10^2~10^3Q?cm之间,是Cu、Ⅲ族元素、Se配比较为合适的区域,载流子浓度在10^15~10^16cm^-3范围内,薄膜表面粗糙度是随着Cu/(Ga+In)比呈下降趋势,Cu越多,表面越光滑,当Cu/(Ga+In)比超过1.25以后,变化趋势逐渐减弱.当Cu/(Ga+In)比在1.0附近时,粗糙度处于30-60nm之间.在上述范围内,研制出转换效率为12.1%的CIGS薄膜太阳电池.

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67