摘要： 　　通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有c轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜．在室温下测量样品的光致发光(PL)光谱，观察到波长位于415nm(3．02eV)和430nm(2．88eV)附近的蓝紫发光双峰．研究了不同In掺杂量对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响．当In片面积为靶总面积的3％时，样品具有高度的c轴择优取向和较小的晶格失配(0．16％)；同时在PL谱中观察到波长位于415nm(3．02eV)和433nm(2．86eV)处的强蓝紫光双峰．