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赛普拉斯推出业界首款4Mb串行F-RAM

来源:电子之家 作者:华仔 浏览:273

标签:

摘要: 赛普拉斯半导体公司日前宣布,推出一系列4Mb串行铁电随机存取存储器(F-RAM),这是业界容量最大的串行F-RAM。该款4Mb串行F-RAM拥有40-Mhz串行外设接口(SPI),工作电压范围是2.0至3.6V,采用业界标准的符合RoHS标准的封装方式。

赛普拉斯半导体公司日前宣布,推出一系列4Mb串行铁电随机存取存储器(F-RAM),这是业界容量最大的串行F-RAM。该款4Mb串行F-RAM拥有40-Mhz串行外设接口(SPI),工作电压范围是2.0至3.6V,采用业界标准的符合RoHS标准的封装方式。赛普拉斯所有的F-RAM均可提供100万亿次的读写寿命,85?C温度下的数据保存时间可达十年,65?C下则长达151年。

对于需要连续频繁高速数据读写,并要求保证数据的绝对安全性的应用而言,赛普拉斯的F-RAM是理想选择。这一4Mb串行F-RAM系列符合关键任务应用的需要,例如工业控制和自动化、工业计量、多功能打印机、测试和测量设备,以及可穿戴医疗等。

赛普拉斯非易失性产品事业部副总裁Rainer Hoehler指出:“关键任务系统要求高性能存储器能够在掉电瞬间可靠地捕获数据。赛普拉斯的4Mb F-RAM系列是业界最高容量的串行F-RAM器件,可提供绝对的数据安全性。”

供货情况

4Mb串行F-RAM目前正在出样,采用业界标准的8EIAJ和8TDFN封装方式。预计2015年第四季度量产。

随着全球空中交通管制(ATC)以及飞机对飞机通信要求变得越来越严苛,在未来的一段时间内,美国、欧洲和其他国家的飞机需要支持越来越复杂的追踪和通信系统。

为了帮助航空电子客户满足这一趋势,飞思卡尔半导体公司扩大了其L频段产品组合,推出两款具有卓越系统功能集成和宽带高功率性能的Airfast RF功率晶体管。飞思卡尔全新的AFIC10275N和AFV121KH产品拥有诸多优势,可满足全球主要ATC系统制造商的严格标准。

飞思卡尔高级副总裁兼RF业务部总经理Paul Hart表示:“我们最新的Airfast晶体管为ATC市场提供了无与伦比的解决方案,同时进一步扩大了飞思卡尔在其竞争者当中的优势。AFIC10275N具有卓越的集成水平,充分体现了我们对满足航空电子市场及其特定要求的承诺。”

AFIC10275N减少了尺寸和重量

航空电子应用最重要的三项参数为尺寸、重量和功率。AFIC10275N是业内首款RF功率集成电路,其频段为978-1090MHz,通过采用更小更轻的功率放大器(PA)转发器,帮助客户满足这些市场的严格标准。AFIC10275N在一个塑料封装中拥有两个放大级,提供250W、31dB的增益,以及64%的漏极效率。该设备还嵌入了温度和RF传感能力,减少了对外部组件的需求。AFIC10275N作为一款带有参考电路的解决方案对外进行出售,使客户降低了周期时间和开发成本。


 
AFV121KH使每个设备拥有更大的功率

在960-1215MHz的频段间,AFV121KH晶体管在1kW的功率下可提高59%的效率,超过1.2kW的功率下可提高51%的效率,当调整到1030MHz下的窄频带时,AFV121KH可提供更高的频率。更高的功率可使客户降低部件数量,因此大大节省了成本。

供货和支持

AFIC10275N目前已投入生产。AFV121KH现已开始提供样品,并计划于2015年第三季度投入生产。飞思卡尔提供全球应用支持、紧凑式参考设计,以及面向航空电子市场的可支持全新Airfast RF功率解决方案的ADS和AWR工具。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67