Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布推出小型四通道双向SP1015系列瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管），旨在为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的数据线提供保护。 该系列功能强大的二极管能安全地吸收高于IEC61000-4-2国际标准规定之最高级别的反复性ESD放电（±20kV接触放电，±30kV空气放电），而无需担心其性能减退。 存在交流信号时，双向配置可为数据线提供对称ESD保护。SP1015系列的动态电阻仅为0.65Ω，支持保护现代电子设备中小尺寸集成电路所需的低箝位电压。由于SP1015系列能以紧凑的倒装芯片封装提供四条线路的ESD保护，因此非常适合电路板空间有限的应用，包括微型SIM卡接口、触屏控制器线路以及智能手机、可穿戴设备、平板电脑和电子阅读器中的通用输入/输出线路。
Littelfuse瞬态抑制二极管阵列产品经理Tim Micun表示：“SP1015系列采用了我们为获奖的SP1012系列瞬态抑制二极管阵列开发的技术。其外形小巧，所占空间不足1平方毫米，能够帮助电路设计师节约印刷电路板的空间和成本。”
SP1015系列瞬态抑制二极管阵列具有下列突出优势：
- 占用空间不足0.93x0.53毫米，但可提供四条线路的ESD保护，能够紧密排布在微型SIM（µSIM）插座旁，从而最大限度地降低印刷电路板空间要求和成本。
- 双向配置，对于6英寸以下触摸屏的保护电容至关重要
- 提供超出IEC61000-4-2标准最高额定值的ESD保护，卓越的保护功能可确保提高设计余量以及最终产品在实际应用中的可靠性。
- 极低的动态电阻（0.65Ω）可支持用于保护内部填充有小尺寸集成电路的现代电子产品所需的低箝位电压。
- 标称5V断态电压可为大多数目前和未来的用户界面提供保护
- 供货情况
SP1015系列采用0.93x0.53毫米倒装芯片封装（0402格式），并提供卷带封装，起订量5,000只。 样品可向世界各地的授权Littelfuse经销商索取。
射频（RF）功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶体管。借助这些新型封装和产品，飞思卡尔正在释放GaN性能的真正潜力，并在提供业界最佳性能的GaN器件方面，已经取得了重大突破。
飞思卡尔高级副总裁兼射频业务部总经理Paul Hart表示：“借助这两款业界领先带宽的产品，我们的客户采用一个射频器件替换两个甚至三个独立的RF PA器件，大大降低了系统成本。此外，这些器件具有超低的热阻，可使客户降低冷却系统的成本，而且它们能够以全连续波(CW)额定功率运行，满足更高温度的应用情况。”
OM-270新封装提供双引脚和八引脚配置，还可将飞思卡尔专用OMNI RF塑封技术拓展至最小外形封装中，并增加与GaN的兼容性。
飞思卡尔Fellow兼RF封装开发部负责人Mali Mahalingam表示：“我们不断创新，采用冶金方式将GaN-on-SiC芯片与铜法兰相结合，然后将它们模压塑形，实现前所未有的热性能。此外，这种新封装的平台支持复杂的内部匹配方案，实现卓越的宽带性能。”
飞思卡尔以下两个封装的RF功率GaN晶体管充分利用这种先进的封装技术，提高性能水平：
- MMRF5015N：这是一款真正的CW超带宽GaN晶体管，功率为100W，电压为50V，非常适合高功率军用和民用通信系统。MMRF5015N的热阻不到0.8°C/W，这表明它比同类竞争产品的热阻性能高30%以上。MMRF5015N样品可以在评估套件中提供，展示前所未有的200-2500MHz带宽，实现全频段天线至少12db的增益和40%的效率提高。
- MMRF5011N：这是一款真正的CW超带宽晶体管，功率为10W，电压为28V，在可用应用电路中带宽为200-2600MHz。MMRF5011非常适合更低功耗的军用和民用手持无线电通信设备，现在已开始提供样品。
飞思卡尔将在2015年国际微波会议(IMS)第3031号展位展示和演示这些晶体管。这两款新产品计划2015年第三季度批量生产，它们包含在飞思卡尔产品长期供货计划内，因为所有产品都属于射频军用产品组合。
