日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列超薄、大电流的功率电感器---IHHP，该电感器采用铁粉芯，饱和电流高达5.8A。Vishay Dale该系列器件采用小型2.0mm x1.6mm 0806和2.5mmx2.0mm 1008外形尺寸，高度分别为1.0mm和1.2mm，在计算机、消费产品和通信应用里能够降低成本，节省电路板空间。

今天发布的这些器件具有大电流和小尺寸的特点，适用于笔记本电脑、手机、硬盘驱动器、固态硬盘、数码摄像机和数码相机里的DC/DC转换器和电源模块。功率电感器使用磁合金，噪声低，采用磁屏蔽以防止来自周围元器件的干扰。

IHHP-0806AZ-01、IHHP-0806AB-01、IHHP-1008AZ-01和IHHP-1008AB-01的最大DCR低至15mΩ，感值从0.22μH到10μH，可实现高效率。器件的热额定电流达5.3A，工作温度范围为-55℃～+125℃。电感器采用符合RoHS，完全无铅的屏蔽结构进行封装。

器件规格表：
 

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的这三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻，在工业、电信、计算和可再生能源应用中可提高可靠性，并且节能。

近日推出的这些600V快恢复二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造，充实了Vishay现有的标准E系列器件，使公司有更多的器件可用于类似移相全桥和LLC半桥的零电压开关(ZVA)/软开关拓扑。

在这些应用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢复电荷(Qrr)比标准MOSFET低十倍的优势，提高了可靠性。这些器件因此能够更快地防止电压击穿，有助于避免直通击穿和热击穿。

21A SiHx21N60EF有四种封装，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有两种封装。器件分别具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低导通电阻和低栅极电荷。这意味着在太阳能逆变器、服务器和通信电源、ATX/Silver box计算机开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器和半导体生产设备中的高功率、高频开关应用里，可实现极低的导通和开关损耗。

这些器件能够承受雪崩和换流模式里的高能脉冲，保证通过100%的UIS测试。这些MOSFET符合RoHS，无卤素。

器件规格表：