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一文了解PNP晶体管结构图和工作原理 PNP晶体管特性和应用介绍

来源:华强电子网 作者:NV 浏览:5829

标签: 晶体管 pnp晶体管

摘要: 一个 PNP晶体管通过在两个 P 型半导体之间合并 N 型半导体而构建。

一个 PNP晶体管通过在两个 P 型半导体之间合并 N 型半导体而构建。


PNP晶体管的构造图


晶体管由三部分组成-


电子发射器

基准

收集器


关于PNP晶体管的三个端子的工作


发射极用于通过基极区域将电荷载流子提供到集电极中。

集电极区域收集发射极中发射的大多数电荷载流子。

用于控制通过发射极到集电极的电流量的基极。


PNP晶体管符号


PNP晶体管符号

其中,E =发射器,B =基准,C =收集器


PNP晶体管结构图

中间层(N型)称为B-Base终端。 左侧的P型层用作E-发射极端子,右侧的P型层用作C-Collector端子。


PNP晶体管结构图


在 NPN 晶体管形成中,一种 P 型半导体材料适合两个 N 型半导体之间,如文章中所述(Link NPN 晶体管). 而在 PNP 晶体管中,一个 N 型半导体安装在两个 P 型半导体材料之间。


在 PNP 晶体管中,两个 二极管的种类 被使用。 它们分别是PN和NP 二极管. 这些 PN 结二极管称为集电极-基极或 CB 结和基极-发射极或 BE 结。


在P型半导体材料中,电荷载流子主要是空穴。 因此,在该晶体管中,电流的形成仅是由于空穴的运动。


(P型)发射极和集电极区域的掺杂程度要高于N型基极。 与基极相比,“发射极”和“集电极”区域的区域更宽。


通常,在N型半导体中可以使用足够多的自由电子。 但是,在这种情况下,中间层的宽度更窄并且被轻掺杂。


PNP晶体管工作原理


发射极与基极的交点链接到转发偏向。 以及电源的+ ve端子(VCB)与所有Base端子(N型)相连,而-ve端子与所有Collector端子(P型)相连。 因此,收集器与基部的交点与反向偏置相关联。


PNP晶体管工作原理图


由于这种偏置,EB结处的耗尽区较小,因为它与转发偏置相关。 即使CB结处于反向偏置状态,集电极-基极结的耗尽区也足够宽。 EB结正向偏置。 因此,更多的空穴从发射极穿过耗尽区,并作为基极的输入。 同时,在基极的发射极中携带并与空穴重新结合的电子很少。


但是在基极的电子数量是最小的,因为它是相当少的掺杂和狭窄的区域。 因此,几乎所有发射极区的空穴都将通过耗尽区并带入基极区。


电流将流经EB结。 这是发射极电流(IE)。 所以我C,集电极电流将由于空穴而流过集电极-基极层。


PNP晶体管特性


PNP晶体管的优势


1、体积小,可以用作IC设计的一部分。

2、相对便宜,持久且简单的电路。

3、可以采取自发动作

4、电源电压要求低,输出少 阻抗.

5、产生的噪声比NPN晶体管小。


PNP晶体管的缺点


1、不适合在高频应用上运行。

2、与NPN相比,执行速度较慢。

3、温度敏感性,在热失控期间可能会损坏。


PNP晶体管的应用


1、PNP晶体管用作开关,例如,模拟开关,紧急按钮等。它们在需要紧急关机时也有应用。

2、这些类型的晶体管用在电流源电路中,即通过利用从集电极流出的电流的特性。

3、它应用在放大电路。

4、它们用于达林顿对电路中。

5、PNP型晶体管用于重型电动机中,以控制电流以及各种机器人和微控制器设计应用。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67