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摘要: 一个 PNP晶体管通过在两个 P 型半导体之间合并 N 型半导体而构建。
一个 PNP晶体管通过在两个 P 型半导体之间合并 N 型半导体而构建。
PNP晶体管的构造图
晶体管由三部分组成-
电子发射器
基准
收集器
关于PNP晶体管的三个端子的工作
发射极用于通过基极区域将电荷载流子提供到集电极中。
集电极区域收集发射极中发射的大多数电荷载流子。
用于控制通过发射极到集电极的电流量的基极。
PNP晶体管符号
其中,E =发射器,B =基准,C =收集器
中间层(N型)称为B-Base终端。 左侧的P型层用作E-发射极端子,右侧的P型层用作C-Collector端子。
在 NPN 晶体管形成中,一种 P 型半导体材料适合两个 N 型半导体之间,如文章中所述(Link NPN 晶体管). 而在 PNP 晶体管中,一个 N 型半导体安装在两个 P 型半导体材料之间。
在 PNP 晶体管中,两个 二极管的种类 被使用。 它们分别是PN和NP 二极管. 这些 PN 结二极管称为集电极-基极或 CB 结和基极-发射极或 BE 结。
在P型半导体材料中,电荷载流子主要是空穴。 因此,在该晶体管中,电流的形成仅是由于空穴的运动。
(P型)发射极和集电极区域的掺杂程度要高于N型基极。 与基极相比,“发射极”和“集电极”区域的区域更宽。
通常,在N型半导体中可以使用足够多的自由电子。 但是,在这种情况下,中间层的宽度更窄并且被轻掺杂。
PNP晶体管工作原理
发射极与基极的交点链接到转发偏向。 以及电源的+ ve端子(VCB)与所有Base端子(N型)相连,而-ve端子与所有Collector端子(P型)相连。 因此,收集器与基部的交点与反向偏置相关联。
由于这种偏置,EB结处的耗尽区较小,因为它与转发偏置相关。 即使CB结处于反向偏置状态,集电极-基极结的耗尽区也足够宽。 EB结正向偏置。 因此,更多的空穴从发射极穿过耗尽区,并作为基极的输入。 同时,在基极的发射极中携带并与空穴重新结合的电子很少。
但是在基极的电子数量是最小的,因为它是相当少的掺杂和狭窄的区域。 因此,几乎所有发射极区的空穴都将通过耗尽区并带入基极区。
电流将流经EB结。 这是发射极电流(IE)。 所以我C,集电极电流将由于空穴而流过集电极-基极层。
PNP晶体管特性
PNP晶体管的优势
1、体积小,可以用作IC设计的一部分。
2、相对便宜,持久且简单的电路。
3、可以采取自发动作
4、电源电压要求低,输出少 阻抗.
5、产生的噪声比NPN晶体管小。
PNP晶体管的缺点
1、不适合在高频应用上运行。
2、与NPN相比,执行速度较慢。
3、温度敏感性,在热失控期间可能会损坏。
PNP晶体管的应用
1、PNP晶体管用作开关,例如,模拟开关,紧急按钮等。它们在需要紧急关机时也有应用。
2、这些类型的晶体管用在电流源电路中,即通过利用从集电极流出的电流的特性。
3、它应用在放大电路。
4、它们用于达林顿对电路中。
5、PNP型晶体管用于重型电动机中,以控制电流以及各种机器人和微控制器设计应用。
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |