BJT或双极结型晶体管有两种主要类型。NPN是BJT的分类之一，它是一个三端设备，用于放大和切换。在NPN晶体管的情况下，电子是多数电荷载流子。下面就一起来了解一下NPN晶体管的结构、符号、应用、工作原理、优缺点以及电路图吧！

npn晶体管结构：

下面给出了npn晶体管的示意图

NPN晶体管作为二极管连接

NPN晶体管的等效电路

可以说，一个npn晶体管的工作原理类似于一个接一个地连接的2 pn结二极管的工作原理。 这些PN结二极管称为集电极-基极CB结和基极-发射极BE结。

NPN晶体管符号

NPN晶体管符号

NPN晶体管的应用：

• 通常，NPN晶体管由于电子的迁移率而被用作双极晶体管，因为它比空穴的迁移率高。

• 这些也用于放大和切换信号。 这些用于放大器电路，即推挽放大器电路。

• NPN晶体管用于达林顿对电路来放大微弱的信号，从而大幅放大信号。

• 如果需要吸收电流，那么也可以使用NPN晶体管。

• 除此之外，NPN晶体管在温度传感器，对数转换器等电路中还有许多应用。

NPN晶体管工作原理

NPN晶体管需要反向和正向偏置才能工作。 在发射极电压和发射极之间建立正向偏置。 反向偏置连接在集电极电压和集电极之间。

NPN晶体管工作原理

现在，作为 a 的 n 侧 二极管 以电子为主，p侧以空穴为主，所有电压连接相应地排列为正向和反向偏置。 基极发射结设置为反向偏压，集电极基极结作为正向偏压。 与集电极-基极交叉点的耗尽区相比，该发射极-基极区的耗尽区更窄。

当结反向偏置（发射极）时，空穴从电源流向N结。 然后，电子向p侧移动。 在此，发生一些电子的中和。 其余电子移向n侧。 相对于发射极和基极的压降为VBE 作为输入端。

在N型发射器中，电荷载流子主要是电子。 因此，电子通过N型发射极传输到P型基极。 电流将流过发射极-基极或EB结。 该电流称为发射极电流（Ie）。 这里的发射极电流（IE）从输出侧流向两个方向； 一个是IB 另一个是IC。 所以我们可以写IE=IB+IC。

但是，基极区相对较薄且轻掺杂。 因此，大多数电子将通过基极区域，只有很少的电子将与可用的空穴复合。 与发射极电流相比，基极电流最小。 通常，它高达整个发射极电流的5％。

来自其余电子的电流称为集电极电流（IC）。 

NPN晶体管电路图

电压源连接到NPN晶体管。 集电极端子连接到电源电压（V的+ ve端子）CC）使用负载电阻（RL）。 负载电阻还可用于减少流经电路的最大电流。

基本端子连接到基本提供电压（V的+ ve端子）B）电阻RB。 基极电阻用于限制最大基极电流（IB)。

NPN晶体管电路

当晶体管导通时，大的集电极电流通过集电极之间的电路并从发射极流过。 但是，由于极少量的基极电流必须流到晶体管的底端。

NPN晶体管电路

标记代表集电极，基极和发射极的典型电流。

使用NPN晶体管的优缺点：

优点：

• 体积小。

• 可以在低电压下工作。

• 非常便宜。

• 低输出阻抗。

• 持久的。

• 自发行动。

缺点：

• 高温敏感性。

• 产生低能耗。

• 在热失控期间可能会损坏。

• 不能在高频率下操作。