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摘要: BJT或双极结型晶体管有两种主要类型。NPN是BJT的分类之一,它是一个三端设备,用于放大和切换。在NPN晶体管的情况下,电子是多数电荷载流子。下面就一起来了解一下NPN晶体管的结构、符号、应用、工作原理、优缺点以及电路图吧!
BJT或双极结型晶体管有两种主要类型。NPN是BJT的分类之一,它是一个三端设备,用于放大和切换。在NPN晶体管的情况下,电子是多数电荷载流子。下面就一起来了解一下NPN晶体管的结构、符号、应用、工作原理、优缺点以及电路图吧!
下面给出了npn晶体管的示意图
NPN晶体管作为二极管连接
NPN晶体管的等效电路
可以说,一个npn晶体管的工作原理类似于一个接一个地连接的2 pn结二极管的工作原理。 这些PN结二极管称为集电极-基极CB结和基极-发射极BE结。
NPN晶体管符号
通常,NPN晶体管由于电子的迁移率而被用作双极晶体管,因为它比空穴的迁移率高。
这些也用于放大和切换信号。 这些用于放大器电路,即推挽放大器电路。
NPN晶体管用于达林顿对电路来放大微弱的信号,从而大幅放大信号。
如果需要吸收电流,那么也可以使用NPN晶体管。
除此之外,NPN晶体管在温度传感器,对数转换器等电路中还有许多应用。
NPN晶体管需要反向和正向偏置才能工作。 在发射极电压和发射极之间建立正向偏置。 反向偏置连接在集电极电压和集电极之间。
NPN晶体管工作原理
现在,作为 a 的 n 侧 二极管 以电子为主,p侧以空穴为主,所有电压连接相应地排列为正向和反向偏置。 基极发射结设置为反向偏压,集电极基极结作为正向偏压。 与集电极-基极交叉点的耗尽区相比,该发射极-基极区的耗尽区更窄。
当结反向偏置(发射极)时,空穴从电源流向N结。 然后,电子向p侧移动。 在此,发生一些电子的中和。 其余电子移向n侧。 相对于发射极和基极的压降为VBE 作为输入端。
在N型发射器中,电荷载流子主要是电子。 因此,电子通过N型发射极传输到P型基极。 电流将流过发射极-基极或EB结。 该电流称为发射极电流(Ie)。 这里的发射极电流(IE)从输出侧流向两个方向; 一个是IB 另一个是IC。 所以我们可以写IE=IB+IC。
但是,基极区相对较薄且轻掺杂。 因此,大多数电子将通过基极区域,只有很少的电子将与可用的空穴复合。 与发射极电流相比,基极电流最小。 通常,它高达整个发射极电流的5%。
来自其余电子的电流称为集电极电流(IC)。
电压源连接到NPN晶体管。 集电极端子连接到电源电压(V的+ ve端子)CC)使用负载电阻(RL)。 负载电阻还可用于减少流经电路的最大电流。
基本端子连接到基本提供电压(V的+ ve端子)B)电阻RB。 基极电阻用于限制最大基极电流(IB)。
NPN晶体管电路
当晶体管导通时,大的集电极电流通过集电极之间的电路并从发射极流过。 但是,由于极少量的基极电流必须流到晶体管的底端。
NPN晶体管电路
标记代表集电极,基极和发射极的典型电流。
体积小。
可以在低电压下工作。
非常便宜。
低输出阻抗。
持久的。
自发行动。
高温敏感性。
产生低能耗。
在热失控期间可能会损坏。
不能在高频率下操作。
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |