摘要： 韩国海力士(Hynix)半导体和三星(Samsung)电子各自都在加紧努力，开发每单元三位(3-bit-per-cell)的NAND闪存。据《ChosunIlbo》报道，海力士在6月4日开发出了一款采用3-bit-per-cell技术的32GBNAND闪存。LazardCapitalMarkets的分析师DanielAmir在最近发表的一份报告中表示：“我们听说三星将在2008年末开始生产3-bitpercellNAND时感到很意外。”“直到现在，该技术一直只有SanDisk与东芝(Toshiba)拥有，”他说，“但是，三星试图生