富士通微电子（上海）有限公司日前宣布，东京工业大学（Tokyo-Tech）、富士通实验室(Fujitsu Laboratories Ltd.)和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM)的新型材料。 这种铋、铁、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO），能使数据存储容量达到目前FeRAM生产中使用的材料的五倍。

    使用基于BFO的材料，在类似于采用180nm技术制造FeRAM的装置内，采用富士通的65nm工艺技术就可以生产出新的FeRAM。这种材料的使用，可以将FeRAM的记忆容量扩展到256M bit。

    鉴于新一代个人化移动电子产品（例如IC卡）必须具有小巧、安全、易于操作等特点，新的FeRAM将在功耗和速度方面有大幅的改善，以便满足此种需要。 对于这类电子产品来说，FeRAM技术可以提供最适合的非易失记忆设备，预计样品将会在2009年发布。