3月31日消息，海力士半导体首席执行官Kim Jong-kap称，该公司打算按计划在今年生产基于54纳米技术的DRAM内存芯片。这将缩小海力士与三星电子的技术差距。据《韩国时报》报道，海力士计划在今年第三季度开始生产基于54纳米的DRAM内存芯片。三星电子计划在今年第二季度开始生产基于56纳米的DRAM内存芯片。


海力士一直与台湾地区的合作伙伴茂德科技谈判把54纳米DRAM内存芯片生产工艺技术提供给茂德科技。一年之前，海力士曾与茂德科技做了一笔类似的交易，把66纳米生产工艺技术提供给了茂德科技。茂德科技的90纳米和70纳米技术也来自于海力士。


海力士首席执行官Kim Jong-kap在年度股东大会上发表讲话称，他对内存芯片市场在2008年下半年反弹表示乐观。DRAM内存芯片价格在第三季度将出现反弹，闪存将在下半年达到供需平衡。他还说，海力士可能会显著减少2008年的投资，主要是在2008年下半年。


《韩国时报》的报道还预测，到2012年，海力士的DRAM内存芯片将全部采用300毫米生产线制造。目前，海力士在韩国和中国有3条300毫米生产线和5条200毫米生产线。