内存生厂商奇梦达和美光科技日前先于三星电子已经开始交付DDR3内存样品，全球内存“老大”三星电子在DDR3方面处于落后地位。美光科技公司内存部门高级营销主管比尔-劳尔（Bill Lauer）表示，今年中期，美光科技将量产1G的DDR3芯片，同时提供2G的芯片样品。

　　据悉，DDR3的数据传输率高达每秒1.6Gb，是目前DDR2的两倍。此外，DDR3的电压从1.8V下降到了1.5V，意味着内存芯片功耗的降低，以及电脑和手机更长的续航时间。此外，在芯片封装、引脚和信号方面，DDR3也有了全面的技术改进。SI公司的副总裁马基表示，DDR3可以在不增加功耗的情况下极大提升数据存取性能。这是内存业界期盼已久的事情。据SI估计，DDR3的市场将在今年启动，其中首先上市的将是800MHz频率的512M和1G DDR3内存。

突破瓶颈 DDR3内存呼之欲出

　　2006年是PC处理器市场中波动最大的一年：AMD平台接口整体升级，Intel推出了全新微架构的Core核心处理器，双核处理器逐渐成为主流。随着工艺制程的
革新和新技术的应用，处理器的性能一直在稳步提高。但目前而言，无论是AMD还是Intel，只通过提高倍频来制造更高主频产品的办法似乎已经走到了尽头：AMD的产品一直无法突破3GHz大关，Intel的4GHz的Netburst微架构处理器也已经破产。

　　最终，大家才发现采用更先进的微架构，使处理器工作在更高的外频时钟下才是获得强大性能的可行办法，酷睿2处理器的面世可以很好地说明这一点。但这样又产生了一个新的问题：随着处理器外频的不断提高，前端总线也相应提高，同时对内存带宽的要求也大大提高。这必然要求有更高频率的内存与之搭配。随着高端处理器的陆续上市，DDR2 667内存已经渐渐不能满足高端处理器对内存带宽的需求，DDR2 800内存将逐渐替代DDR2 667成为市场的主流。但随着处理器频率的不断提升，即便是DDR2 800内存也会逐渐成为系统性能提升的瓶颈。由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到了200MHz。因此受到DDR2内存本身设计的限制，其频率不能满足更高带宽的平台的使用，再向上提升较为困难。这就需要采用新的技术来保证速度的可持续性发展，所以早在几年前便被提出的DDR3内存呼之欲出，用以满足更高带宽的需求。　　

DDR3比DDR2好在哪里？

　　DDR3内存采用100nm以下的生产工艺，并将工作电压从1.8V降至1.5V，可以减少30%的功耗，I/O缓冲的电压也更低，驱动阻抗也降低了。在工作频率方面，DDR3内存最低将会从800MHz起跳，目前最高能够达到1600Mhz的速度。由于目前最快的DDR2内存已经达到800Mhz/1066Mhz的速度，因而在去年的Computex大展上有多个内存厂商展出了1333Mhz的DDR3内存模组。在性能方面，DDR3内存将拥有比DDR2内存好很多的带宽功耗比(Bandwidth per watt)。对比现有DDR2-800产品，DDR3-800、1067及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不但内存带宽大幅提升，功耗表现也比较出色。此外，DDR3内存还采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。DDR3还增加了一些新特性，增加了异步重置（Reset）与ZQ校准功能，用ZQ阻值来校准数据。

　　相对于DDR2内存的4bit预取机制，DDR3内存模组最大的改进就是采用了8bit预取机制设计，也就是内部同时并发8位数据。在相同Cell频率下，DDR3的数据传输率是DDR2的两倍。这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz，当DRAM内核工作频率为200MHz时，接口频率已经达到了1600MHz。而当DDR3内存技术成熟时，相信有实力的内存厂商将推出DDR3-2000甚至2400的频率更高的内存。

　　虽然内存发展出DDR2、DDR3等很多的类型，但是它们都是基于原始的DRAM单元，基本的DRAM架构仍然是现代内存类型的基础。虽然有很多尝试希望丢弃这种陈旧的以晶体管为基础的存储方式，出现了一些新的存储技术，如MRAM（MAGnetoreSIStive RAM）、FRAM (Ferroelectric RAM)等，但是它们都没有获得足够的成功。实际上，DRAM是一个晶体管和一个电容的结合体，很简单也很高效。所有的现代内存类型都继承了DRAM的优点和缺点：它需要刷新，以及有操作频率的上限（这也是用电容充电来存储数据的弊病）。可以说DRAM的频率发展总是会面临着瓶颈，厂商只有在读取架构上做文章，通过多位预取、并行传输来提升内存的数据传输率。