符合汽车标准的自保护低端NCV840x系列MOSFET
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作者：华仔
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时间：2016-08-10 14:18
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摘要：
安森美半导体(ONSemiconductor)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC-Q101标准认证，非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。NCV8401、NCV8402、NCV8402D(双裸片)、NCV8403及NCV8404的设计是为了提供强固及可靠的工作，这些器件全都有丰富的自保护特性，包括限温及限流、静电放电(ESD)保护，以及用于过压保护(OVP)的集成漏极至栅极钳位。特性及优势NCV840x驱动器能用于多种电阻型、电感
安森美半导体(ON Semiconductor)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC-Q101标准认证，非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。
NCV8401、NCV8402、NCV8402D(双裸片)、NCV8403及NCV8404的设计是为了提供强固及可靠的工作，这些器件全都有丰富的自保护特性，包括限温及限流、静电放电(ESD)保护，以及用于过压保护(OVP)的集成漏极至栅极钳位。
特性及优势
NCV840x驱动器能用于多种电阻型、电感型及电容型负载的开关，使设计人员能够以更紧凑、更强固及工作寿命更长的另一选择，替代机电式继电器或分立电路。所有这些器件都提供逻辑电平输入。
NCV8401、NCV8402D及NCV8403的额定漏极至源极电压(VDSS)为42伏特(V)，最大漏极电流(ID)分别为33安培(A)、2 A和15 A。NCV8405的VDSS为40 V，最大额定ID为6 A。所有这些器件的栅极至源极电压(VGS)为±14 V。
这新系列的所有器件均提供低导通阻抗(RDS(ON))值，帮助实现更高能效的系统设计。NCV8401、NCV8402D、NCV8403及NCV8405在10 V的RDS(ON)值分别为23毫欧(mΩ)、165 mΩ、53 mΩ和90 mΩ。
这些器件都提供-40 ℃至150℃的宽工作温度范围及高静电抑制等级(25℃结温时为4,000 V)。当VGS为5 V及10 V时，关闭温度限制分别设定在175℃及165℃。
封装及价格
NCV840x器件采用无铅SOT-223、DPAK及SOIC8封装，批量每1,000片的单价介于0.25美元至0.58美元之间。
